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参数资料
| 型号： | MC34152DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 55ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 6.1 V ~ 18 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1127 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MC34152DGOS |
MC34152, MC33152, NCV33152
3.0
High State Clamp (Drive
2.0
Output Driven Above V CC )
V CC = 12 V
80 m s Pulsed Load
120 Hz Rate
T A = 25 ° C
1.0
0
0
V CC
Low State Clamp (Drive
GND
Output Driven Below Ground)
-1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I O , OUTPUT CLAMP CURRENT (A)
Figure 8. Drive Output Clamp Voltage
versus Clamp Current
0
-1.0
- 2.0
V CC
Source Saturation V CC = 12 V
(Load to Ground) 80 m s Pulsed Load
120 Hz Rate
T A = 25 ° C
0
- 0.5
- 0.7
- 0.9
-1.1
Source Saturation
(Load to Ground)
V CC = 12 V
V CC
I source = 10 mA
I source = 400 mA
- 3.0
1.9
3.0
1.7
I sink = 400 mA
2.0
1.0
0
0
0.2
0.4
Sink Saturation
(Load to V CC )
0.6 0.8
GND
1.0
1.2
1.4
1.5
1.0
0.8
0.6
0
- 55
Sink Saturation
(Load to V CC )
- 25
0
GND
25
50
75
I sink = 10 mA
100 125
I O , OUTPUT CLAMP CURRENT (A)
Figure 9. Drive Output Saturation Voltage
versus Load Current
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. Drive Output Saturation Voltage
versus Temperature
V CC = 12 V
90% -
V CC = 12 V
V in = 0 V to 5.0 V
90% -
V in = 0 V to 5.0 V
C L = 1.0 nF
T A = 25 ° C
10% -
C L = 1.0 nF
T A = 25 ° C
10 ns/DIV
Figure 11. Drive Output Rise Time
10% -
http://onsemi.com
5
10 ns/DIV
Figure 12. Drive Output Fall Time
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB-1512S/HP | CONV DC/DC 1W 15VIN 12VOUT |
| TH3D336M010A0800 | CAP TANT 33UF 10V 20% 2917 |
| MC34152PG | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8DIP |
| RB-1509S/HP | CONV DC/DC 1W 15VIN 09VOUT |
| TH3D336K010A0800 | CAP TANT 33UF 10V 10% 2917 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC34152DG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Logic IC |
| MC34152DR2 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC34152DR2G | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC34152P | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC34152PG | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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