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参数资料
| 型号： | MC56F8366VFVE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 60/182页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSP 16BIT 60MHZ 144-LQFP |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | 56F8xxx |
| 核心处理器： | 56800E |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 60MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，SCI，SPI |
| 外围设备： | POR，PWM，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 62 |
| 程序存储器容量： | 544KB（272K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 18K x 16 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.25 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 16x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
| 配用： | MC56F8367EVME-ND - EVAL BOARD FOR MC56F83X |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页当前第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页
56F8366 Technical Data, Rev. 7
152
Freescale Semiconductor
Preliminary
Figure 10-3 Signal States
10.4 Flash Memory Characteristics
10.5 External Clock Operation Timing
Table 10-12 Flash Timing Parameters
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program time1
1. There is additional overhead which is part of the programming sequence. See the 56F8300 Peripheral User Manual
for details. Program time is per 16-bit word in Flash memory. Two words at a time can be programmed within the Pro-
gram Flash module, as it contains two interleaved memories.
Tprog
20
—
μs
Erase time2
2. Specifies page erase time. There are 512 bytes per page in the Data and Boot Flash memories. The Program Flash
module uses two interleaved Flash memories, increasing the effective page size to 1024 bytes.
Terase
20
—
ms
Mass erase time
Tme
100
—
ms
Table 10-13 External Clock Operation Timing Requirements1
1. Parameters listed are guaranteed by design.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Frequency of operation (external clock driver)2
2. See Figure 10-4 for details on using the recommended connection of an external clock driver.
fosc
0—
120
MHz
Clock Pulse Width3
3. The high or low pulse width must be no smaller than 8.0ns or the chip will not function.
tPW
3.0
—
ns
External clock input rise time4
4. External clock input rise time is measured from 10% to 90%.
trise
—
10
ns
External clock input fall time5
5. External clock input fall time is measured from 90% to 10%.
tfall
—
10
ns
Data Invalid State
Data1
Data2 Valid
Data
Tri-stated
Data3 Valid
Data2
Data3
Data1 Valid
Data Active
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PDF描述 |
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参数描述 |
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