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参数资料
| 型号： | MC68HC705V8CFN |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, OTPROM, 2.1 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC68 |
| 封装： | PLASTIC, LCC-68 |
| 文件页数： | 106/172页 |
| 文件大小： | 890K |
| 代理商： | MC68HC705V8CFN |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页当前第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页
MOTOROLA
SECTION 3: EPROM AND EEPROM
Page 28
MC68HC705V8 Specification Rev. 2.1
Table 3-2:
Erase Mode Select
3.4.3
LATCH
When set, LATCH configures the EEPROM address and data bus for programming. When
LATCH is set, writes to the EEPROM array cause the data bus and the address bus to be
latched. This bit is readable and writable, but reads from the array are inhibited if the
LATCH bit is set and a write to the EEPROM space has taken place. When clear, address
and data buses are configured for normal operation. Reset clears this bit.
3.4.4
EERC - EEPROM RC Oscillator Control
When this bit is set, the EEPROM section uses the internal RC oscillator instead of the CPU
clock. After setting the EERC bit, delay a time t
RCON to allow the RC oscillator to stabilize.
This bit is readable and writable and should be set by the user when the internal bus
frequency falls below 1.5 MHz. Reset clears this bit.
3.4.5
EEPGM - EEPROM Programming Power Enable
EEPGM must be written to enable (or disable) the EEPGM function. When set, EEPGM
turns on the charge pump and enables the programming (or erasing) power to the
EEPROM array. When clear, this power is switched off. This will enable pulsing of the
programming voltage to be controlled internally. This bit can be read at any time, but can
only be written to if LATCH=1. If LATCH is not set, then EEPGM cannot be set. Reset clears
this bit.
3.4.6
PROGRAMMING/ERASING PROCEDURES
To program a byte of EEPROM, set LATCH = CPEN = 1, set ER1 = ER0 = 0, write data to
the desired address and then set EEPGM for a time t
EEPGM.
In general, all bits should be erased before being programmed. However, if write/erase
cycling is a concern, a procedure can be followed to minimize the cycling of each bit in each
EEPROM byte. The erased state is 1; therefore, if any bits within the byte need to be
changed from a 0 to a 1, the byte must be erased before programming. The decision
whether to erase a byte before programming is summarized in Table 3-3.
1
ER1
0
1
Bulk Erase
ER0
MODE
0
No Erase
1
Byte Erase
0
Block Erase
F
re
e
sc
a
le
S
e
m
ic
o
n
d
u
c
to
r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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