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参数资料
| 型号： | MC68HC908EY16KFA |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| 封装： | PLASTIC, QFP-32 |
| 文件页数： | 215/278页 |
| 文件大小： | 1889K |
| 代理商： | MC68HC908EY16KFA |
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FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908EY16 MC68HC908EY8 Data Sheet, Rev. 10
Freescale Semiconductor
41
2.6.5 FLASH Block Protection
Due to the ability of the on-board charge pump to erase and program the FLASH memory in the target
application, provision is made for protecting a block of memory from unintentional erase or program
operations due to system malfunction. This protection is done by using the FLASH block protect register
(FLBPR). The FLBPR determines the range of the FLASH memory which is to be protected. The range
of the protected area starts from a location defined by FLBPR and ends at the bottom of the FLASH
memory ($FFFF). When the memory is protected, the HVEN bit cannot be set in either erase or program
operations.
NOTE
In performing a program or erase operation, FLBPR must be read after
setting the PGM or ERASE bit and before asserting the HVEN bit.
When FLBPR is programmed with all 0s, the entire memory is protected from being programmed and
erased. When all the bits are erased (all 1s), the entire memory is accessible for program and erase.
When bits within the FLBPR are programmed, they lock a block of memory address ranges as shown in
2.6.6 FLASH Block Protect Register. Once the FLBPR is programmed with a value other than $FF or $FE,
any erase or program of the FLBPR or the protected block of FLASH memory is prohibited. Mass erase
is disabled whenever any block is protected (FLBPR does not equal $FF). The presence of a VTST on the
IRQ pin will bypass the block protection so that all of the memory included in the block protect register is
open for program and erase operations.
2.6.6 FLASH Block Protect Register
The FLASH block protect register (FLBPR) is implemented as a byte within the FLASH memory, and
therefore can be written only during a programming sequence of the FLASH memory. The value in this
register determines the starting location of the protected range within the FLASH memory.
BPR7–BPR0 — FLASH Block Protect Bits
These eight bits represent bits [13:6] of a 16-bit memory address. Bit 15 and Bit 14 are 1s and bits [5:0]
are 0s.
The resultant 16-bit address is used for specifying the start address of the FLASH memory for block
protection. The FLASH is protected from this start address to the end of FLASH memory, at $FFFF.
With this mechanism, the protect start address can be $XX00, $XX40, $XX80, and $XXC0 (64 bytes
page boundaries) within the FLASH memory.
Figure 2-6. FLASH Block Protect Start Address
Address:
$FF7E
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
BPR7
BPR6
BPR5
BPR4
BPR3
BPR2
BPR1
BPR0
Write:
Reset:
Unaffected by reset. Initial value from factory is $FF.
Write to this register is by a programming sequence to the FLASH memory.
Figure 2-5. FLASH Block Protect Register (FLBPR)
1
FLBPR VALUE
16-BIT MEMORY ADDRESS
000
00
0
START ADDRESS OF FLASH
1
BLOCK PROTECT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC68HC908EY16VFA | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| MC68HC908GZ8CFA | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP48 |
| MC16V1CPU20B1 | 16-BIT, MROM, 20.97 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| MC68EC060RC50 | 32-BIT, 50 MHz, MICROPROCESSOR, CPGA206 |
| MC68EC060RC66 | 32-BIT, 66 MHz, MICROPROCESSOR, CPGA206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC68HC908EY16MFA | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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| MC68HC908GP16CB | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MC68HC908GP16CFB | 功能描述:MCU 8-BIT 16K FLASH 44-QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 其它有关文件:STM32F101T8 View All Specifications 特色产品:STM32 32-bit Cortex MCUs 标准包装:490 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM? Cortex?-M3 芯体尺寸:32-位 速度:36MHz 连通性:I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART 外围设备:DMA，PDR，POR，PVD，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:26 程序存储器容量:64KB（64K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:10K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:36-VFQFN，36-VFQFPN 包装:托盘 配用:497-10030-ND - STARTER KIT FOR STM32497-8853-ND - BOARD DEMO STM32 UNIV USB-UUSCIKSDKSTM32-PL-ND - KIT IAR KICKSTART STM32 CORTEXM3497-8512-ND - KIT STARTER FOR STM32F10XE MCU497-8505-ND - KIT STARTER FOR STM32F10XE MCU497-8304-ND - KIT STM32 MOTOR DRIVER BLDC497-6438-ND - BOARD EVALUTION FOR STM32 512K497-6289-ND - KIT PERFORMANCE STICK FOR STM32MCBSTM32UME-ND - BOARD EVAL MCBSTM32 + ULINK-MEMCBSTM32U-ND - BOARD EVAL MCBSTM32 + ULINK2更多... 其它名称:497-9032STM32F101T8U6-ND |
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