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参数资料
| 型号： | MC68HC908GR16AVFAE |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP48 |
| 封装： | 7 X 7 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, LQFP-48 |
| 文件页数： | 203/270页 |
| 文件大小： | 1890K |
| 代理商： | MC68HC908GR16AVFAE |
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Memory
MC68HC908GR16A Data Sheet, Rev. 1.0
38
Freescale Semiconductor
2.6.2 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High-Voltage Enable Bit
This read/write bit enables the charge pump to drive high voltages for program and erase operations
in the array. HVEN can only be set if either PGM = 1 or ERASE = 1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
Setting this read/write bit configures the 16-Kbyte FLASH array for mass erase operation.
1 = MASS erase operation selected
0 = PAGE erase operation selected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is interlocked with the PGM bit
such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is interlocked with the ERASE
bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
1. No security feature is absolutely secure. However, Freescale’s strategy is to make reading or copying the FLASH difficult for
unauthorized users.
Address:
$FE08
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
= Unimplemented
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MC68HC908GR60AMFA | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP48 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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