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参数资料
| 型号： | MC68HC908GZ8CFJ |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| 封装： | PLASTIC, LQFP-32 |
| 文件页数： | 31/344页 |
| 文件大小： | 4423K |
| 代理商： | MC68HC908GZ8CFJ |
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FLASH Memory (FLASH)
Data Sheet
MC68HC908GZ8
126
FLASH Memory (FLASH)
Freescale Semiconductor
11.3 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase
operations.
HVEN — High-Voltage Enable Bit
This read/write bit enables the charge pump to drive high voltages for program
and erase operations in the array. HVEN can only be set if either PGM = 1 or
ERASE = 1 and the proper sequence for program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
Setting this read/write bit configures the 16-Kbyte FLASH array for mass erase
operation.
1 = MASS erase operation selected
0 = PAGE erase operation selected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is
interlocked with the PGM bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1
at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is
interlocked with the ERASE bit such that both bits cannot be equal to 1 or set
to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
Address:
$FE08
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
= Unimplemented
Figure 11-1. FLASH Control Register (FLCR)
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PDF描述 |
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