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参数资料
| 型号： | MC68HC908MR24CFU |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8.2 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | PLASTIC, QFP-64 |
| 文件页数： | 325/418页 |
| 文件大小： | 2662K |
| 代理商： | MC68HC908MR24CFU |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页第235页第236页第237页第238页第239页第240页第241页第242页第243页第244页第245页第246页第247页第248页第249页第250页第251页第252页第253页第254页第255页第256页第257页第258页第259页第260页第261页第262页第263页第264页第265页第266页第267页第268页第269页第270页第271页第272页第273页第274页第275页第276页第277页第278页第279页第280页第281页第282页第283页第284页第285页第286页第287页第288页第289页第290页第291页第292页第293页第294页第295页第296页第297页第298页第299页第300页第301页第302页第303页第304页第305页第306页第307页第308页第309页第310页第311页第312页第313页第314页第315页第316页第317页第318页第319页第320页第321页第322页第323页第324页当前第325页第326页第327页第328页第329页第330页第331页第332页第333页第334页第335页第336页第337页第338页第339页第340页第341页第342页第343页第344页第345页第346页第347页第348页第349页第350页第351页第352页第353页第354页第355页第356页第357页第358页第359页第360页第361页第362页第363页第364页第365页第366页第367页第368页第369页第370页第371页第372页第373页第374页第375页第376页第377页第378页第379页第380页第381页第382页第383页第384页第385页第386页第387页第388页第389页第390页第391页第392页第393页第394页第395页第396页第397页第398页第399页第400页第401页第402页第403页第404页第405页第406页第407页第408页第409页第410页第411页第412页第413页第414页第415页第416页第417页第418页
Electrical Specifications
FLASH Memory Characteristics
MC68HC908MR24 — Rev. 1.0
General Release Specification
Electrical Specifications
NON-DISCLOSURE
AGREEMENT
REQUIRED
21.7 FLASH Memory Characteristics
1.
fREAD is defined as the requency range for which the FLASH memory can be read.
2.
fPUMP is defined as the charge pump clock frequency required for program, erase, and margin read operations.
3. flsPulses is defined as the number of pulses used to program the FLASH using the required smart program algorithm.
4.
tSTEP is defined as the amount of time during one page program cycle that HVEN is held high.
5.
tROW is defined as the cumulative time a row can see the program voltage before the row must be erased before further
programming.
6.
tRecovery is defined as the minimum number of dummy reads before accurate data is read from the FLASH memory after
margin read mode is used.
7. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH memory is guaranteed to work for at least this many
erase/program cycles.
8. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH memory is guaranteed to work for at least this many
erase/program cycles.
9. The FLASH is guaranteed to retain data over the entire temperature range for at least the minimum time specified.
Characteristic
Symbol/
description
Min
Max
Units
FLASH pages per row
8
Pages
FLASH bytes per page
8
Bytes
FLASH read bus clock frequency
fREAD
(1)
32 K
8.4 M
Hz
FLASH charge pump clock frequency
fPUMP
(2)
1.8
2.3
MHz
FLASH block/bulk erase time
tERASE
100
—
ms
FLASH high-voltage kill time
tKILL
200
—
s
FLASH return to read time
tHVD
50
—
s
FLASH page program pulses
sPulses
(3)
—
TBD
Pulses
FLASH page program step size
tSTEP
(4)
1.0
1.2
ms
FLASH cumulative program time per row between
erase cycles
tROW
(5)
—
TBD
ms
FLASH HVEN low to MARGIN high time
tHVTV
50
—
s
FLASH MARGIN high to PGM low time
tVTP
150
—
s
FLASH return to read after margin read time
tRecovery
(6)
500
—
Dummy
read
cycles
FLASH row erase endurance(7)
100
—
Cycles
FLASH row program endurance(8)
100
—
Cycles
FLASH data retention time(9)
10
—
Years
F
re
e
sc
a
le
S
e
m
ic
o
n
d
u
c
to
r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
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PDF描述 |
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