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参数资料
| 型号： | MC68HC908QY4MDT |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16 |
| 封装： | TSSOP-16 |
| 文件页数： | 121/192页 |
| 文件大小： | 3292K |
| 代理商： | MC68HC908QY4MDT |
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Memory
Data Sheet
MC68HC908QY/QT Family — Rev. 3
34
Memory
MOTOROLA
2.6 FLASH Memory (FLASH)
This subsection describes the operation of the embedded FLASH memory. The
FLASH memory can be read, programmed, and erased from a single external
supply. The program and erase operations are enabled through the use of an
internal charge pump.
The FLASH memory consists of an array of 4096 or 1536 bytes with an additional
48 bytes for user vectors. The minimum size of FLASH memory that can be erased
is 64 bytes; and the maximum size of FLASH memory that can be programmed in
a program cycle is 32 bytes (a row). Program and erase operations are facilitated
through control bits in the FLASH control register (FLCR). Details for these
operations appear later in this section. The address ranges for the user memory
and vectors are:
$EE00 – $FDFF; user memory, 4096 bytes: MC68HC908QY4 and
MC68HC908QT4
$F800 – $FDFF; user memory, 1536 bytes: MC68HC908QY2,
MC68HC908QT2, MC68HC908QY1 and MC68HC908QT1
$FFD0 – $FFFF; user interrupt vectors, 48 bytes.
NOTE:
An erased bit reads as a 1 and a programmed bit reads as a 0.
A security feature prevents viewing of the FLASH contents.(1)
2.6.1 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase
operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory
for either program or erase operation. It can only be set if either PGM =1 or
ERASE =1 and the proper sequence for program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
1. No security feature is absolutely secure. However, Motorola’s strategy is to make reading or
copying the FLASH difficult for unauthorized users.
Address:
$FE08
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC68HC908QY4MDW | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16 |
| MC68HC908QY4MP | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP16 |
| MC68LK332ACFC16 | 32-BIT, 16.78 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP132 |
| M928-02-300.XXXX | 300 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, CQCC36 |
| M34551M4-XXXFP | 4-BIT, MROM, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC68HC908QY4MDTE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4K FLASH W/ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC68HC908QY4MDW | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 Bit 8MHz RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC68HC908QY4MP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:4K FLASH W/ADC - Bulk |
| MC68HC908QY4MPE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4K FLASH W/ADC- LEAD FREE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC68HC908QY4VDT | 功能描述:IC MCU 4K FLASH 8MHZ 16-TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 标准包装:250 系列:56F8xxx 核心处理器:56800E 芯体尺寸:16-位 速度:60MHz 连通性:CAN，SCI，SPI 外围设备:POR，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:21 程序存储器容量:40KB（20K x 16） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 6x12b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:48-LQFP 包装:托盘 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
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