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参数资料
型号： MC68HC912B32CFU8
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 332/334页
文件大小： 0K
描述： IC MCU 32K FLASH 8MHZ 80-QFP
标准包装： 84
系列： HC12
核心处理器： CPU12
芯体尺寸： 16-位
速度： 8MHz
连通性： SCI，SPI
外围设备： POR，PWM，WDT
输入/输出数： 63
程序存储器容量： 32KB（32K x 8）
程序存储器类型： 闪存
EEPROM 大小： 768 x 8
RAM 容量： 1K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 4.5 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 8x10b
振荡器型： 外部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 80-QFP
包装： 托盘
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EEPROM Control Registers
M68HC12B Family Data Sheet, Rev. 9.1
Freescale Semiconductor
97
If BYTE = 1 and test mode is not enabled, only the location specified by the address written to the
programming latches will be erased. The operation will be a byte or an aligned word erase depending on
the size of written data.
ERASE — Erase Control Bit
0 = EEPROM configuration for programming or reading
1 = EEPROM configuration for erasure
Read anytime. Write anytime if EEPGM = 0.
Configures the EEPROM for erasure or programming.
When test mode is not enabled and unless BULKP is set, erasure is by byte, aligned word, row, or bulk.
EELAT — EEPROM Latch Control Bit
0 = EEPROM set up for normal reads
1 = EEPROM address and data bus latches set up for programming or erasing
Read anytime. Write anytime if EEPGM = 0.
NOTE
When EELAT is set, the entire EEPROM is unavailable for reads.
Therefore, no program residing in the EEPROM can be executed while
attempting to program unused EEPROM space. Care should be taken that
no references to the EEPROM are used while programming. Interrupts
should be turned off if the vectors are in the EEPROM. Timing and any
serial communications must be done with polling during the programming
process.
BYTE, ROW, ERASE, and EELAT bits can be written simultaneously or in any sequence.
EEPGM — Program and Erase Enable Bit
0 = Disables program/erase voltage to EEPROM
1 = Applies program/erase voltage to EEPROM
The EEPGM bit can be set only after EELAT has been set. When an attempt is made to set EELAT
and EEPGM simultaneously, EEPGM remains clear but EELAT is set.
The BULKP, BYTE, ROW, ERASE, and EELAT bits cannot be changed when EEPGM is set. To complete
a program or erase, a write to clear EEPGM and EELAT bits is required before reading the programmed
data. A write to an EEPROM location has no effect when EEPGM is set. Latched address and data cannot
be modified during program or erase.
A program or erase operation should follow this sequence:
1.
Write BYTE, ROW, and ERASE to the desired value;
write EELAT = 1.
2.
Write a byte or an aligned word to an EEPROM address.
3.
Write EEPGM = 1.
4.
Wait for programming (tPROG) or erase (tErase) delay time.
5.
Write EEPGM = 0 and EELAT = 0.
To program/erase more bytes or words without intermediate EEPROM reads, only write EEPGM = 0 in
step 5, leaving EELAT = 1, and jump to step 2.
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MC68HC916P1CAA16 功能描述:16位微控制器 - MCU 16B MCU 32K FLASH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT
MC68HC916P1CFU16 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16BIT W/32KB FLASH EEPRO - Bulk
MC68HC916P1VAA16 功能描述:IC MCU 32K FLASH 16MHZ 80-QFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC16 标准包装:1 系列:AVR® ATmega 核心处理器:AVR 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:I²C，SPI，UART/USART 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，WDT 输入/输出数:32 程序存储器容量:32KB（16K x 16） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:1K x 8 RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:44-TQFP 包装:剪切带 (CT) 其它名称:ATMEGA324P-B15AZCT
MC68HC916P3CFU16 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16BIT MCU FOR GENERAL - Bulk
MC68HC98LJ12CFU 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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