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参数资料
| 型号： | MC68HRC98JL3EMP |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP28 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-28 |
| 文件页数： | 103/180页 |
| 文件大小： | 2412K |
| 代理商： | MC68HRC98JL3EMP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页当前第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页
Flash Control Register
MC68HC908JL3E Family Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
29
2.7 Flash Control Register
The Flash Control Register controls Flash program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory for either program or
erase operation. It can only be set if either PGM=1 or ERASE=1 and the proper sequence for program
or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation or page erase operation when the
ERASE bit is set.
1 = Mass erase operation selected
0 = Page erase operation selected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. This bit and the PGM bit should not be
set to 1 at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation not selected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. This bit and the ERASE bit should
not be set to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation not selected
Address:
$FE08
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
= Unimplemented
Figure 2-4. Flash Control Register (FLCR)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12B64CPV16 | 16-BIT, FLASH, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| MC68HC05C4AB | 8-BIT, MROM, 2.1 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP42 |
| MC68HC05C4ACB | 8-BIT, MROM, 2.1 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP42 |
| MC68HC908GR4AMFA | 8-BIT, FLASH, 8.2 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP28 |
| MC68HRC705J1AVDW | 8-BIT, OTPROM, 2.1 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO20 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC68HSC705C8ACFB | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8 BIT MCU, 304 BYTES RAM - Bulk |
| MC68HSC705C8ACP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MC68HSC705C8ACS | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MC68HSC705J1ACDW | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MC68HSC705J1ACP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8 BIT MCU, 64 BYTES RAM - Bulk |
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