参数资料
| 型号： | MC74HC02ADR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE NOR QUAD 2INPUT 14SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | 74HC |
| 逻辑类型： | 或非门 |
| 电路数： | 4 |
| 输入数： | 2 |
| 电源电压： | 2 V ~ 6 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 5.2mA，5.2mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.5 V ~ 1.8 V |
| 逻辑电平 - 高： | 1.5 V ~ 4.2 V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 13ns @ 6V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MC74HC02ADR2OSDKR |
MC74HC02A
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
Symbol
Parameter
Test Conditions
VCC
V
– 55 to
25_C
v85_C
v125°C
Unit
VIH
Minimum HighLevel Input
Voltage
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| v 20 mA
2.0
3.0
4.5
6.0
1.5
2.1
3.15
4.2
1.5
2.1
3.15
4.2
1.5
2.1
3.15
4.2
V
VIL
Maximum LowLevel Input
Voltage
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| v 20 mA
2.0
3.0
4.5
6.0
0.5
0.9
1.35
1.8
0.5
0.9
1.35
1.8
0.5
0.9
1.35
1.8
V
VOH
Minimum HighLevel Output
Voltage
Vin = VIH or VIL
|Iout| v 20 mA
2.0
4.5
6.0
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
V
Vin = VIH or VIL
|Iout| v 2.4 mA
|Iout| v 4.0 mA
|Iout| v 5.2 mA
3.0
4.5
6.0
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.7
5.2
VOL
Maximum LowLevel Output
Voltage
Vin = VIH or VIL
|Iout| v 20 mA
2.0
4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
V
Vin = VIH or VIL
|Iout| v 2.4 mA
|Iout| v 4.0 mA
|Iout| v 5.2 mA
3.0
4.5
6.0
0.26
0.33
0.4
Iin
Maximum Input Leakage
Current
Vin = VCC or GND
6.0
± 0.1
± 1.0
± 1.0
mA
ICC
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
|Iout| = 0 mA
6.0
1.0
10
40
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
Guaranteed Limit
Symbol
Parameter
VCC
V
– 55 to
25_C
v85_C
v125_C
Unit
tPLH,
tPHL
Maximum Propagation Delay, Input A or B to Output Y
(Figures 1 and 2)
2.0
3.0
4.5
6.0
75
30
15
13
95
40
19
16
110
55
22
19
ns
tTLH,
tTHL
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 2)
2.0
3.0
4.5
6.0
75
30
15
13
95
40
19
16
110
55
22
19
ns
Cin
Maximum Input Capacitance
—
10
10
10
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance (Per Gate)*
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
22
* Used to determine the noload dynamic power consumption: PD = CPD VCC2f + ICC VCC.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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