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参数资料
| 型号： | MC74HCT241ADWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BUFFR NONINVRT 3-ST/LN DR SOIC20 |
| 标准包装： | 38 |
| 系列： | 74HCT |
| 逻辑类型： | 缓冲器/线路驱动器，非反相 |
| 元件数： | 2 |
| 每个元件的位元数： | 4 |
| 输出电流高，低： | 6mA，6mA |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-SOIC |
| 包装： | 管件 |
MC74HCT241A
http://onsemi.com
4
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
Symbol
Parameter
Guaranteed Limit
Unit
– 55 to
25_C
v 85_C
v 125_C
tPLH,
tPHL
Maximum Propagation Delay, A to YA or B to YB
(Figures 1 and 3)
23
29
35
ns
tPLZ,
tPHZ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to YA or YB
(Figures 2 and 4)
30
38
45
ns
tPZL,
tPZH
Maximum Propagation Delay, Output Enable to YA or YB
(Figures 2 and 4)
26
33
39
ns
tTLH,
tTHL
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 3)
12
15
18
ns
Cin
Maximum Input Capacitance
10
pF
Cout
Maximum ThreeState Output Capacitance (Output in HighImpedance
State)
15
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance (Per Enabled Output)*
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
55
* Used to determine the noload dynamic power consumption: PD = CPD VCC2f + ICC VCC.
SWITCHING WAVEFORMS
Figure 1.
Figure 2.
*Includes all probe and jig capacitance
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
Figure 3. Test Circuit
*Includes all probe and jig capacitance
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
Figure 4. Test Circuit
CONNECT TO VCC WHEN
TESTING tPLZ AND tPZL.
CONNECT TO GND WHEN
TESTING tPHZ AND tPZH.
1 k
Ω
ENABLE A
ENABLE B
OUTPUT Y
3 V
GND
3 V
GND
HIGH
IMPEDANCE
HIGH
IMPEDANCE
VOL
VOH
1.3 V
90%
10%
tPZL
tPLZ
tPZH
tPHZ
3 V
GND
tf
tr
INPUT
A OR B
OUTPUT
YA OR YB
0.3 V
1.3 V
2.7 V
10%
1.3 V
90%
tTLH
tPLH
tPHL
tTHL
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PDF描述 |
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参数描述 |
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