参数资料
| 型号： | MC74HCT365ADG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC HEX BUFF/LINE DVR 3ST 16SOIC |
| 标准包装： | 48 |
| 系列： | 74HCT |
| 逻辑类型： | 缓冲器/线路驱动器，非反相 |
| 元件数： | 1 |
| 每个元件的位元数： | 6 |
| 输出电流高，低： | 6mA，6mA |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
MC74HCT365A
http://onsemi.com
4
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
Symbol
Parameter
VCC
V
Guaranteed Limit
Unit
– 55 to
25_C
v 85_C
v 125_C
tPLH,
tPHL
Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y
(Figures 1 and 3)
4.5
24
30
36
ns
tPLZ,
tPHZ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Output Y
(Figures 2 and 4)
4.5
44
55
66
ns
tPZL,
tPZH
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Output Y
(Figures 2 and 4)
4.5
44
55
66
ns
tTLH,
tTHL
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 3)
4.5
12
15
18
ns
Cin
Maximum Input Capacitance
—
10
pF
Cout
Maximum ThreeState Output Capacitance
(Output in HighImpedance State)
—
15
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance (Per Buffer)*
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
60
* Used to determine the noload dynamic power consumption: PD = CPD VCC2f + ICC VCC.
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