参数资料
型号: MC74LCX04DR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: IC INVERTER HEX LV CMOS 14-SOIC
标准包装: 2,500
系列: 74LCX
逻辑类型: 逆变器,缓冲器
电路数: 6
输入数: 1
电源电压: 2 V ~ 3.6 V
电流 - 静态(最大值): 10µA
输出电流高,低: 24mA,24mA
逻辑电平 - 低: 0.7 V ~ 0.8 V
逻辑电平 - 高: 1.7 V ~ 2 V
额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟: 5.2ns @ 3V ~ 3.6V,50pF
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
供应商设备封装: 14-SOICN
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: MC74LCX04DR2G-ND
MC74LCX04DR2GOSTR
MC74LCX04
http://onsemi.com
5
WAVEFORM 1 PROPAGATION DELAYS
tR = tF = 2.5 ns, 10% to 90%; f = 1 MHz; tW = 500 ns
VCC
0 V
VOH
VOL
An
On
tPLH
tPHL
Vmi
Vmo
Vmi
Symbol
VCC
3.3 V $ 0.3 V
2.7 V
2.5 V $ 0.2 V
Vmi
1.5 V
VCC/2
Vmo
1.5 V
VCC/2
Figure 3. AC Waveforms
PULSE
GENERATOR
RT
DUT
VCC
RL
CL
CL = 50 pF at VCC = 3.3 0.3 V or equivalent (includes jig and probe capacitance)
CL = 30 pF at VCC = 2.5 0.2 V or equivalent (includes jig and probe capacitance)
RL = R1 = 500 W or equivalent
RT = ZOUT of pulse generator (typically 50 W)
Figure 4. Test Circuit
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参数描述
MC74LCX04DT 功能描述:变换器 2-3.6 Hex CMOS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
MC74LCX04DTG 功能描述:变换器 2-3.6 Hex CMOS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
MC74LCX04DTR2 功能描述:变换器 2-3.6 Hex CMOS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
MC74LCX04DTR2G 功能描述:变换器 2-3.6 Hex CMOS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
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