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参数资料
| 型号： | MC74LVX240DWR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | 74LVX |
| 逻辑类型： | 逆变器，缓冲器 |
| 电路数： | 2 |
| 输入数： | 4 |
| 特点： | 三态 |
| 电源电压： | 2 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 4µA |
| 输出电流高，低： | 4mA，4mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.5 V ~ 0.8 V |
| 逻辑电平 - 高： | 1.5 V ~ 2.4 V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 9.7ns @ 3V ~ 3.6V，50pF |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 20-SOIC |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MC74LVX240
http://onsemi.com
4
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns)
Symbol
Parameter
Test Conditions
TA = 25°C
TA = 40 to 85°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
tPLH,
tPHL
Propagation Delay
Input to Output
VCC = 2.7V
CL = 15pF
CL = 50pF
5.7
8.2
10.1
13.6
1.0
12.5
16.0
ns
VCC = 3.3 ± 0.3V
CL = 15pF
CL = 50pF
4.3
6.8
6.2
9.7
1.0
7.5
11.0
tPZL,
tPZH
Output Enable Time to
High and Low Level
VCC = 2.7V
CL = 15pF
RL = 1kW
CL = 50pF
7.1
9.6
13.8
17.3
1.0
16.5
20.0
ns
VCC = 3.3 ± 0.3V
CL = 15pF
RL = 1kW
CL = 50pF
5.5
8.0
8.8
12.3
1.0
10.5
14.0
tPLZ,
tPHZ
Output Disable Time From
High and Low Level
VCC = 2.7V
CL = 50pF
RL = 1kW
11.6
16.0
1.0
19.0
ns
VCC = 3.3 ± 0.3V
CL = 50pF
RL = 1kW
9.7
11.4
1.0
13.0
tOSHL
tOSLH
OutputtoOutput Skew
(Note 1)
VCC = 2.7V
CL = 50pF
VCC = 3.3 ±0.3V
CL = 50pF
1.5
1.5
ns
1. Skew is defined as the absolute value of the difference between the actual propagation delay for any two separate outputs of the same device.
The specification applies to any outputs switching in the same direction, either HIGHtoLOW (tOSHL) or LOWtoHIGH (tOSLH); parameter
guaranteed by design.
CAPACITIVE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
TA = 25°C
TA = 40 to 85°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Cin
Input Capacitance
4
10
10
pF
Cout
Maximum ThreeState Output Capacitance
6
pF
Power Dissipation Capacitance (Note 2)
19
pF
2. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC/8 (per bit). CPD is used to determine the noload
dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns, CL = 50pF, VCC = 3.3V, Measured in SOIC Package)
Symbol
Characteristic
TA = 25°C
Unit
Typ
Max
VOLP
Quiet Output Maximum Dynamic VOL
0.5
0.8
V
VOLV
Quiet Output Minimum Dynamic VOL
0.5
0.8
V
VIHD
Minimum High Level Dynamic Input Voltage
2.0
V
VILD
Maximum Low Level Dynamic Input Voltage
0.8
V
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