参数资料
| 型号： | MC74VHC14DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SCHMITT INVERTER HEX 14-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | 74VHC |
| 逻辑类型： | 逆变器，缓冲器 |
| 电路数： | 6 |
| 输入数： | 1 |
| 特点： | 施密特触发器 |
| 电源电压： | 2 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 2µA |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.9 V ~ 1.65 V |
| 逻辑电平 - 高： | 2.2 V ~ 3.85 V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 10.6ns @ 4.5V ~ 5.5V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MC74VHC14
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
VCC
V
TA = 25°C
55°C ≤ TA ≤ 125°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
VT+
Positive Threshold
Voltage (Figure 5)
3.0
4.5
5.5
2.20
3.15
3.85
2.20
3.15
3.85
V
VT
Negative Threshold
Voltage (Figure 5)
3.0
4.5
6.0
0.9
1.35
1.65
0.90
1.35
1.65
V
VH
Hysteresis Voltage
(Figure 5)
3.0
4.5
5.5
0.30
0.40
0.50
1.20
1.40
1.60
0.30
0.40
0.50
1.20
1.40
1.60
V
VOH
Minimum HighLevel
Output Voltage
Vin = VIH or VIL
IOH = 50 mA
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
V
Vin = VIH or VIL
IOH = 4 mA
IOH = 8 mA
3.0
4.5
2.58
3.94
2.48
3.80
VOL
Maximum LowLevel
Output Voltage
Vin = VIH or VIL
IOL = 50 mA
2.0
3.0
4.5
0.0
0.1
0.1
V
Vin = VIH or VIL
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
3.0
4.5
0.36
0.44
Iin
Maximum Input
Leakage Current
Vin = 5.5 V or GND
0 to 5.5
± 0.1
± 1.0
mA
ICC
Maximum Quiescent
Supply Current
Vin = VCC or GND
5.5
2.0
20.0
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns)
Symbol
Parameter
Test Conditions
TA = 25°C
55°C ≤ TA ≤ 125°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
tPLH,
tPHL
Maximum Propagation
Delay,
A or B to Y
VCC = 3.3 ± 0.3 V
CL = 15 pF
CL = 50 pF
8.3
10.8
12.8
16.3
1.0
15.0
18.5
ns
VCC = 5.0 ± 0.5 V
CL = 15 pF
CL = 50 pF
5.5
7.0
8.6
10.6
1.0
10.0
12.0
Cin
Maximum Input
Capacitance
4
10
10
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance (Note 5)
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
21
5. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC/6 (per buffer). CPD is used to determine the
noload dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns, CL = 50 pF, VCC = 5.0 V)
Symbol
Characteristic
TA = 25°C
Unit
Typ
Max
VOLP
Quiet Output Maximum Dynamic VOL
0.4
0.8
V
VOLV
Quiet Output Minimum Dynamic VOL
0.4
0.8
V
VIHD
Minimum High Level Dynamic Input Voltage
3.5
V
VILD
Maximum Low Level Dynamic Input Voltage
1.5
V
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参数描述 |
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| MC74VHC14DR2G | 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Hex Schmitt RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| MC74VHC14DR2G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MC74VHC14 Series 2 to 5.5 V CMOS Hex Schmitt Inverter - SOIC-14 |
| MC74VHC14DT | 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Hex RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| MC74VHC14DTG | 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Hex Schmitt RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| MC74VHC14DTG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC HEX INVERTER SCHMITT TRIGGER TSSOP-14 |
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