参数资料
| 型号： | MC74VHC1G03DTT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE NOR SGL 2IN HS 5TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | 74VHC |
| 逻辑类型： | 或非门 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 2 |
| 特点： | 开路漏极 |
| 电源电压： | 2 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | -，8mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.5 V ~ 1.65 V |
| 逻辑电平 - 高： | 1.5 V ~ 3.85 V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 7.5ns @ 5V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 5-TSOP |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）5 引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MC74VHC1G03DTT1GOS |
MC74VHC1G03
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC
TA = 25°C
TA ≤ 85°C
55
≤ TA ≤ 125°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
(V)
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
VIH
Minimum HighLevel
Input Voltage
2.0
3.0
4.5
5.5
1.5
2.1
3.15
3.85
1.5
2.1
3.15
3.85
1.5
2.1
3.15
3.85
V
VIL
Maximum LowLevel
Input Voltage
2.0
3.0
4.5
5.5
0.5
0.9
1.35
1.65
0.5
0.9
1.35
1.65
0.5
0.9
1.35
1.65
V
VOL
Maximum LowLevel
Output Voltage
VIN = VIH or VIL
IOL = 50 mA
2.0
3.0
4.5
0.0
0.1
V
VIN = VIH or VIL
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
3.0
4.5
0.36
0.44
0.52
V
ILKG
ZState Output
Leakage Current
VIN = VIL
VOUT = VCC or GND
5.5
$5
$10
mA
IIN
Maximum Input
Leakage Current
VIN = 5.5 V or GND
0 to
5.5
±0.1
±1.0
mA
ICC
Maximum Quiescent
Supply Current
VIN = VCC or GND
5.5
1.0
20
40
mA
IOFF
Power OffOutput
Leakage Current
VOUT = 5.5 V
VIN = 5.5 V
0
0.25
2.5
5
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Input tr = tf = 3.0 ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
TA = 25°C
TA ≤ 85°C
55
≤ TA ≤ 125°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
tPZL
Maximum Output
Enable Time,
Input A or B to Y
VCC = 3.3 ± 0.3 V
CL = 15 pF
RL = RI = 500 W
CL = 50 pF
5.6
8.1
7.9
11.4
9.5
13.0
11.0
15.5
ns
VCC = 5.0 ± 0.5 V
CL = 15 pF
RL = RI = 500 W
CL = 50 pF
3.6
5.1
5.5
7.5
6.5
8.5
8.0
10.0
tPLZ
Maximum Output
Disable Time
VCC = 3.3 ± 0.3 V
CL = 50 pF
RL = RI = 500 W
8.1
11.4
13.0
15.5
ns
VCC = 5.0 ± 0.5 V
CL = 50 pF
RL = RI = 500 W
5.1
7.5
8.5
10.0
CIN
Maximum Input
Capacitance
4
10
10
10
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance (Note 6)
Typical @ 25
°C, VCC = 5.0V
pF
18
6. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the noload dynamic
power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
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PDF描述 |
|---|---|
| OSTOQ175550 | CONN TERM BLK HDR 17POS 5.08MM |
| OSTOQ20B151 | CONN TERM BLK HEADER 20POS 2.5MM |
| MC74VHC1G01DTT1G | IC GATE NAND SGL 2IN OD 5TSOP |
| OSTOQ175551 | CONN TERM BLK HDR 17POS 5.08MM |
| OSTVK191150 | CONN TERM BLK HDR 19POS 3.5MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC74VHC1G04DFT1 | 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| MC74VHC1G04DFT1G | 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| MC74VHC1G04DFT2 | 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| MC74VHC1G04DFT2G | 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| MC74VHC1G04DTT1 | 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
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