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参数资料
| 型号： | MC74VHC1G08DTT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE AND SGL CMOS 2IN 5TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | 74VHC |
| 逻辑类型： | 与门 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 2 |
| 电源电压： | 2 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.5 V ~ 1.65 V |
| 逻辑电平 - 高： | 1.5 V ~ 3.85 V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 7.9ns @ 4.5V ~ 5.5V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 5-TSOP |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）5 引线 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1124 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MC74VHC1G08DTT1GOSDKR |
MC74VHC1G08
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
VCC
(V)
TA = 255C
TA v 855C
*555C to 1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
VIH
Minimum HighLevel
Input Voltage
2.0
3.0
4.5
5.5
1.5
2.1
3.15
3.85
1.5
2.1
3.15
3.85
1.5
2.1
3.15
3.85
V
VIL
Maximum LowLevel
Input Voltage
2.0
3.0
4.5
5.5
0.5
0.9
1.35
1.65
0.5
0.9
1.35
1.65
0.5
0.9
1.35
1.65
V
VOH
Minimum HighLevel
Output Voltage
VIN = VIH or VIL
IOH = 50 mA
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
1.9
2.9
4.4
V
VIN = VIH or VIL
IOH = 4 mA
IOH = 8 mA
3.0
4.5
2.58
3.94
2.48
3.80
2.34
3.66
VOL
Maximum LowLevel
Output Voltage
VIN = VIH or VIL
IOL = 50 mA
2.0
3.0
4.5
0.0
0.1
V
VIN = VIH or VIL
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
3.0
4.5
0.36
0.44
0.52
IIN
Maximum Input
Leakage Current
VIN = 5.5 V or GND
0 to 5.5
$0.1
$1.0
mA
ICC
Maximum Quiescent
Supply Current
VIN = VCC or GND
5.5
1.0
10
40
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Input tr = tf = 3.0 ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
TA = 25°C
TA ≤ 85°C
55 ≤ TA ≤ 125°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
tPLH,
tPHL
Maximum Propaga-
tion Delay,
Input A or B to Y
VCC = 3.3 ± 0.3 V
CL = 15 pF
CL = 50 pF
4.1
5.9
8.8
12.3
10.5
14.0
12.5
16.5
ns
VCC = 5.0 ± 0.5 V
CL = 15 pF
CL = 50 pF
3.5
4.2
5.9
7.9
7.0
9.0
9.0
11.0
CIN
Maximum Input Ca-
pacitance
5.5
10
10
10
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance (Note 6)
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
11
6. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the noload dynamic
power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MC74VHC1G08DTT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:GATE LOGIC IC |
| MC74VHC1G08DTT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MC74VHC1G09DFT1 | 功能描述:逻辑门 2-5.5V Single AND RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| MC74VHC1G09DFT1G | 功能描述:逻辑门 2-5.5V Single AND 2-Input w/Open Drain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| MC74VHC1G09DFT2 | 功能描述:逻辑门 2-5.5V Single AND RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
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