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参数资料
型号： MC74VHC1G135DFT2
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 2/6页
文件大小： 0K
描述： IC GATE NAND SGL 2INP OD SOT-353
标准包装： 3,000
系列： 74VHC
逻辑类型： 与非门
电路数： 1
输入数： 2
特点： 施密特触发器，开路漏极
电源电压： 2 V ~ 5.5 V
电流 - 静态（最大值）： 1µA
输出电流高，低： -，8mA
逻辑电平 - 低： 0.65 V ~ 1.45 V
逻辑电平 - 高： 2.25 V ~ 3.7 V
额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： 9.7ns @ 4.5V ~ 5.5V，50pF
工作温度： -55°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
供应商设备封装： SC-70
封装/外壳： 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353
包装： 带卷 (TR)
MC74VHC1G135
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Symbol
Characteristics
Value
Unit
VCC
DC Supply Voltage
0.5 to +7.0
V
VIN
DC Input Voltage
0.5 to +7.0
V
VOUT
DC Output Voltage
0.5 to 7.0
V
IIK
Input Diode Current
20
mA
IOK
Output Diode Current
VOUT < GND; VOUT > VCC
+20
mA
IOUT
DC Output Current, per Pin
+25
mA
ICC
DC Supply Current, VCC and GND
+50
mA
PD
Power dissipation in still air
SC88A, TSOP5
200
mW
qJA
Thermal resistance
SC88A, TSOP5
333
°C/W
TL
Lead temperature, 1 mm from case for 10 secs
260
°C
TJ
Junction temperature under bias
+150
°C
Tstg
Storage temperature
65 to +150
°C
MSL
Moisture Sensitivity
Level 1
FR
Flammability Rating
Oxygen Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
VESD
ESD Withstand Voltage
Human Body Model (Note 1)
Machine Model (Note 2)
Charged Device Model (Note 3)
> 2000
> 200
N/A
V
ILatchup
Latchup Performance
Above VCC and Below GND at 125°C (Note 4)
±500
mA
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Tested to EIA/JESD22A114A
2. Tested to EIA/JESD22A115A
3. Tested to JESD22C101A
4. Tested to EIA/JESD78
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Characteristics
Min
Max
Unit
VCC
DC Supply Voltage
2.0
5.5
V
VIN
DC Input Voltage
0.0
5.5
V
VOUT
DC Output Voltage
0.0
7.0
V
TA
Operating Temperature Range
55
+125
°C
tr , tf
Input Rise and Fall Time
VCC = 3.3 V ± 0.3 V
VCC = 5.0 V ± 0.5 V
0
No limit
ns/V
Device Junction Temperature versus
Time to 0.1% Bond Failures
Junction
Temperature °C
Time, Hours
Time, Years
80
1,032,200
117.8
90
419,300
47.9
100
178,700
20.4
110
79,600
9.4
120
37,000
4.2
130
17,800
2.0
140
8,900
1.0
1
10
100
1000
TIME, YEARS
NORMALIZED
F
AILURE
RA
TE
T J
=
80
C°
T J
=
90
C°
T J
=
100
C°
T J
=
1
10
C°
T J
=
130
C°
T J
=
120
C°
FAILURE RATE OF PLASTIC = CERAMIC
UNTIL INTERMETALLICS OCCUR
Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
相关PDF资料
PDF描述
MC74VHC1G14DFT2 IC INVERTER SCHM TRIG SGL SOT353
MC74VHC1G32DTT1 IC GATE OR SGL CMOS 2INP 5TSOP
MC74VHC1G86DFT2 IC GATE XOR SGL 2INPUT SOT-353
MC74VHC1GT00DT1G IC GATE NAND SGL 2IN TTL 5TSOP
MC74VHC1GT02DT1G IC GATE NOR SGL 2INP TTL 5TSOP
相关代理商/技术参数
参数描述
MC74VHC1G135DT1G 功能描述:逻辑门 2-5.5V Single NAND 2-Input Schmitt RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel
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MC74VHC1G14DFT1 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
MC74VHC1G14DFT1G 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single Schmitt Input RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
MC74VHC1G14DFT2 功能描述:变换器 2-5.5V CMOS Single RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube
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