参数资料
型号: MC908EY16CFAR2
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 微控制器/微处理器
英文描述: 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32
封装: 7 X 7 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-32
文件页数: 257/318页
文件大小: 2429K
代理商: MC908EY16CFAR2
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Memory
FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908EY16 — Rev. 5.0
Data Sheet
MOTOROLA
Memory
43
2.6.5 FLASH Block Protection
Due to the ability of the on-board charge pump to erase and program the FLASH
memory in the target application, provision is made for protecting a block of
memory from unintentional erase or program operations due to system
malfunction. This protection is done by using the FLASH block protect register
(FLBPR). The FLBPR determines the range of the FLASH memory which is to be
protected. The range of the protected area starts from a location defined by FLBPR
and ends at the bottom of the FLASH memory ($FFFF). When the memory is
protected, the HVEN bit cannot be set in either erase or program operations.
NOTE:
In performing a program or erase operation, FLBPR must be read after setting the
PGM or ERASE bit and before asserting the HVEN bit.
When FLBPR is programmed with all 0s, the entire memory is protected from being
programmed and erased. When all the bits are erased
(all 1s), the entire memory is accessible for program and erase.
When bits within the FLBPR are programmed, they lock a block of memory address
ranges as shown in 2.6.6 FLASH Block Protect Register. If FLBPR is
programmed with a value other than $FF, any erase or program of the FLBPR or
the protected block of FLASH memory is prohibited. FLBPR itself can then be
erased or programmed only with an external voltage Vtst present on the IRQ pin.
2.6.6 FLASH Block Protect Register
The FLASH block protect register (FLBPR) is implemented as a byte within the
FLASH memory, and therefore can be written only during a programming
sequence of the FLASH memory. The value in this register determines the starting
location of the protected range within the FLASH memory.
BPR7–BPR0 — FLASH Block Protect Bits
These eight bits represent bits 13–6 of a 16-bit memory address. Bits 15 and 14
are 1s and bits 5–0 are 0s.
The resultant 16-bit address is used for specifying the start address of the
FLASH memory for block protection. The FLASH is protected from this start
address to the end of FLASH memory, at $FFFF. With this mechanism, the
Address:
$FF7E
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
BPR7
BPR6
BPR5
BPR4
BPR3
BPR2
BPR1
BPR0
Write:
Reset:
UUUUUUUU
U = Unaffected by reset. Initial value from factory is $FF.
Write to this register is by a programming sequence to the FLASH memory.
Figure 2-5. FLASH Block Protect Register (FLBPR)
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PDF描述
MC908EY16VFAR2 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32
MC908GP32CFBE 8-BIT, FLASH, 8.2 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44
MC908GR16AVFJ 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32
MC908GR16ACFAE 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP48
MC908GR16AMFJE 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32
相关代理商/技术参数
参数描述
MC908EY16MFAE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
MC908EY16VFAE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
MC908EY16VFAR2 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
MC908EY8ACFJE 功能描述:8位微控制器 -MCU AUTO 908EY16A MOS9 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
MC908EY8ACFJER 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:AUTO 908EY16A MOS9 - Tape and Reel