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参数资料
| 型号： | MC908QB4MDTE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 160/232页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 4K FLASH 16-TSSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | HC08 |
| 核心处理器： | HC08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 连通性： | SCI，SPI |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM |
| 输入/输出数： | 13 |
| 程序存储器容量： | 4KB（4K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 10x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
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FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QB8 Data Sheet, Rev. 3
Freescale Semiconductor
31
2.6 FLASH Memory (FLASH)
The FLASH memory is intended primarily for program storage. In-circuit programming allows the
operating program to be loaded into the FLASH memory after final assembly of the application product.
It is possible to program the entire array through the single-wire monitor mode interface. Because no
special voltages are needed for FLASH erase and programming operations, in-application programming
is also possible through other software-controlled communication paths.
This subsection describes the operation of the embedded FLASH memory. The FLASH memory can be
read, programmed, and erased from the internal VDD supply. The program and erase operations are
enabled through the use of an internal charge pump.
The minimum size of FLASH memory that can be erased is 64 bytes; and the maximum size of FLASH
memory that can be programmed in a program cycle is 32 bytes (a row). Program and erase operations
are facilitated through control bits in the FLASH control register (FLCR). Details for these operations
appear later in this section.
NOTE
An erased bit reads as a 1 and a programmed bit reads as a 0. A security
feature prevents viewing of the FLASH contents.(1)
2.6.1 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory for either program or
erase operation. It can only be set if either PGM =1 or ERASE =1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
1. No security feature is absolutely secure. However, Freescale’s strategy is to make reading or copying the FLASH difficult
for unauthorized users.
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
= Unimplemented
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC908QY8CDTE | IC MCU 8BIT 8K FLASH 16-TSSOP |
| MC56F8011VFAE | IC DIGITAL SIGNAL CTLR 32-LQFP |
| S9S08DN32F1MLC | IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32LQFP |
| MC9S08MM32VLH | IC MCU 8BIT 32K FLASH 64LQFP |
| MC9S08JE128CMB | IC MCU 8BIT 128K FLASH 81MAPBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC908QB4MDWE | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON 4K FLASH 908QB4 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC908QB8 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:To provide the most up-to-date information, the revision of our documents |
| MC908QB8CDT | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:8-BIT HC08 CISC 8KB FLASH 16-PIN TSSOP RAIL - Trays |
| MC908QB8CDTE | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON 8K FLASH 908QB8 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC908QB8CDWE | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON 8K FLASH 908QB8 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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