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参数资料
| 型号： | MC9RS08KA4CPJ |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP20 |
| 封装： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-20 |
| 文件页数： | 17/42页 |
| 文件大小： | 949K |
| 代理商： | MC9RS08KA4CPJ |
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MC9RS08KA8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4
Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
24
Figure 22. Example VPP Filtering
Program/Erase voltage
VPP
11.8
12
12.2
V
VPP current
Program
Mass erase
IVPP_prog
IVPP_erase
—
200
100
μA
Supply voltage for read operation
0 < fBus < 10 MHz
VRead
1.8
—
5.5
V
Byte program time
tprog
20
—
40
μs
Mass erase time
tme
500
—
ms
Cumulative program HV time2
thv
——
8
ms
Total cumulative HV time
(total of tme & thv applied to device)
thv_total
——
2
hours
HVEN to program setup time
tpgs
10
—
μs
PGM/MASS to HVEN setup time
tnvs
5—
—
μs
HVEN hold time for PGM
tnvh
5—
—
μs
HVEN hold time for MASS
tnvh1
100
—
μs
VPP to PGM/MASS setup time
tvps
20
—
ns
HVEN to VPP hold time
tvph
20
—
ns
VPP rise time
3
tvrs
200
—
ns
Recovery time
trcv
1—
—
μs
Program/erase endurance
TL to TH = –40
°C to 85°C
—
1000
—
cycles
Data retention
t
D_ret
15
—
years
1 Typicals are measured at 25
°C.
2 t
hv is the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase. Same address can not be
programmed more than twice before next erase.
3 Fast V
PP rise time may potentially trigger the ESD protection structure, which may result in over current flowing into the pad
and cause permanent damage to the pad. External filtering for the VPP power source is recommended. An example VPP
filter is shown in Figure 22.
Table 16. Flash Characteristics (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typical1
Max
Unit
100 Ω
VPP
12 V
1 nF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9RS08KA8CPG | 8-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP16 |
| MC9RS08KB2CSC | MICROCONTROLLER, PDSO8 |
| MC9RS08KB4CTG | MICROCONTROLLER, PDSO16 |
| MC9RS08KB12CTG | MICROCONTROLLER, PDSO16 |
| MC9RS08KB4CWJ | MICROCONTROLLER, PDSO20 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC9RS08KA4CTG | 功能描述:8位微控制器 -MCU GEN PURPOSE 8-BIT RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9RS08KA4CTGR | 功能描述:8位微控制器 -MCU FINISHED GOOD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9RS08KA4CWG | 功能描述:8位微控制器 -MCU 9RS08KA8 16SOIC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9RS08KA4CWGR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 9RS08KA8 16SOIC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9RS08KA4CWJ | 功能描述:8位微控制器 -MCU 9RS08KA8 20SOIC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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