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参数资料
型号： MC9RS08KB8CSG
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 27/37页
文件大小： 0K
描述： MCU 8-BIT 8K FLASH 16-SOIC
标准包装： 48
系列： RS08
核心处理器： RS08
芯体尺寸： 8-位
速度： 20MHz
连通性： I²C，SPI
外围设备： LVD，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 14
程序存储器容量： 8KB（8K x 8）
程序存储器类型： 闪存
RAM 容量： 254 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 8x10b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
包装： 管件
Electrical Characteristics
MC9RS08KB12 Series MCU Data Sheet, Rev. 5
Freescale Semiconductor
33
3.13
Flash Specifications
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the flash
memory. For detailed information about program/erase operations, see the reference manual.
D
Input Leakage
Error
10-bit mode
EIL
———
LSB2
Pad leakage2 *
RAS
8-bit mode
—
±0.1
±1
1 Typical values assume V
DDAD = 1.8 V, Temp = 25 °C, fADCK = 1.0 MHz unless otherwise stated. Typical values are for reference
only and are not tested in production.
2 Based on input pad leakage current. Refer to pad electricals.
Table 17. Flash Characteristics
No.
C
Characteristic
Symbol
Min
Typical1
1 Typicals are measured at 25
°C.
Max
Unit
1
D
Supply voltage for program/erase
VDD
2.7
—
5.5
V
2
D
Program/Erase voltage
VPP
11.8
12
12.2
V
3C
VPP current
Program
Mass erase
IVPP_prog
IVPP_erase
—
200
100
μA
4D
Supply voltage for read operation
0 < fBus < 10 MHz
VRead
1.8
—
5.5
V
5
P
Byte program time
tprog
20
—
40
μs
6
P
Mass erase time
tme
500
—
ms
7
C
Cumulative program HV time2
2 t
hv is the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase. Same address can not be
programmed more than twice before next erase.
thv
——
8
ms
8C
Total cumulative HV time
(total of tme & thv applied to device)
thv_total
—
2
hours
9
D
HVEN to program setup time
tpgs
10
—
μs
10
D
PGM/MASS to HVEN setup time
tnvs
5—
—
μs
11
D
HVEN hold time for PGM
tnvh
5—
—
μs
12
D
HVEN hold time for MASS
tnvh1
100
—
μs
13
D
VPP to PGM/MASS setup time
tvps
20
—
ns
14
D
HVEN to VPP hold time
tvph
20
—
ns
15
D
VPP rise time
3
3 Fast V
PP rise time may potentially trigger the ESD protection structure, which may result in over current flowing into the pad
and cause permanent damage to the pad. External filtering for the VPP power source is recommended. An example VPP
filter is shown in Figure 35.
tvrs
200
—
ns
16
D
Recovery time
trcv
1—
—
μs
17
D
Program/erase endurance
TL to TH = –40
°C to 85 °C
—
1000
—
cycles
18
C
Data retention
t
D_ret
15
—
years
Table 16. 10-Bit ADC Characteristics (VREFH = VDDAD, VREFL = VSSAD, 1.8 V < VDDAD < 2.7 V)
C
Characteristic
Conditions
Symb
Min
Typ1
Max
Unit
Comment
相关PDF资料
PDF描述
MC9RS08KB12CSG MCU 8-BIT 12K FLASH 16-SOIC
VE-B0W-IY-F1 CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 50W
VE-J6W-IW-B1 CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 100W
LTC1064CN IC FILTER BUILDNG BLK QUAD 24DIP
MC9RS08KB4CWJ MCU 8-BIT 4K FLASH 20-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
MC9RS08KB8CTG 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-BIT 8K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
MC9RS08KB8CWJ 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-BIT 8K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
MC9RS08LA8 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MCU Block Diagram
MC9RS08LA8CFT 功能描述:8位微控制器 -MCU 8Bit 8K Flash w/ LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
MC9RS08LA8CLF 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 8K FLASH W/ LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
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