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参数资料
| 型号： | MC9S08GT32CBE |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP42 |
| 封装： | SDIP-42 |
| 文件页数： | 186/290页 |
| 文件大小： | 1314K |
| 代理商： | MC9S08GT32CBE |
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S08GB/GT Data Sheet, Rev. 2.3
266
Freescale Semiconductor
Figure A-6. Typical Run IDD for FBE and FEE Modes, IDD vs VDD
LVI adder to stop3
(LVDSE = LVDE = 1)
370
A
55
70
85
260
A
55
70
85
1 Typicals are measured at 25°C. See Figure A-6 through Figure A-9 for typical curves across voltage/temperature.
2 Values given here are preliminary estimates prior to completing characterization.
3 All modules except ATD active, ICG congured for FBE, and does not include any dc loads on port pins
4 Values are characterized but not tested on every part.
5 Every unit tested to this parameter. All other values in the Max column are guaranteed by characterization.
6 Most customers are expected to nd that auto-wakeup from stop2 or stop3 can be used instead of the higher current wait mode.
Wait mode typical is 560
A at 3 V and 422 A at 2V with fBus = 1 MHz.
Table A-5. Supply Current Characteristics (continued)
Parameter
Symbol
VDD (V)
Typical1
Max2
Temp. (
°C)
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I DD
(mA)
20 MHz, ATDoff, FEE, 25°C
20 MHz, ATDoff, FBE, 25°C
8 MHz, ATDoff, FBE, 25°C
8 MHz, ATDoff, FEE, 25°C
1 MHz, ATDoff, FEE, 25°C
1 MHz, ATDoff, FBE, 25°C
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.8
VDD (Vdc)
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| MC9S08GT32CFD | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 Bit 20MHz RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S08GT32CFDE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 32K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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