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参数资料
| 型号： | MC9S08GT8ACFBE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 194/300页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8K FLASH 1K RAM 44-QFP |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | S08 |
| 核心处理器： | S08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 连通性： | I²C，SCI，SPI |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 36 |
| 程序存储器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-QFP |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 728 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | M68DEMO908GB60E-ND - BOARD DEMO MC9S08GB60 M68EVB908GB60E-ND - BOARD EVAL FOR MC9S08GB60 |
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Electrical Characteristics
MC9S08GT16A/GT8A Data Sheet, Rev. 1
Freescale Semiconductor
273
7
Ideal resolution (1 LSB)5
2.08V < VDDAD < 3.6V
RES
2.031
—
3.516
mV
1.80V < VDDAD < 2.08V
1.758
—
2.031
Differential non-linearity6
1.80V < VDDAD < 3.6V
DNL
—
+0.5
+1.0
LSB
8
9
Integral non-linearity7
1.80 V < VDDAD < 3.6V
INL
—
+0.5
+1.0
LSB
Zero-scale error8
1.80V < VDDAD < 3.6V
EZS
—
+0.4
+1.0
LSB
10
Full-scale error9
1.80V < VDDAD < 3.6V
EFS
—
+0.4
+1.0
LSB
11
Input leakage error 10
1.80V < VDDAD < 3.6V
EIL
—
+0.05
+5
LSB
12
13
Total unadjusted
error11
1.80V < VDDAD < 3.6V
ETU
—
+1.1
+2.5
LSB
14
Input resistance
RAIN
—5
7
k
15
Input capacitance
CAIN
—
25
pF
1 All ACCURACY numbers are based on processor and system being in WAIT state (very little activity and no IO switching) and that
adequate low-pass ltering is present on analog input pins (lter with 0.01
F to 0.1 F capacitor between analog input and VREFL).
Failure to observe these guidelines may result in system or microcontroller noise causing accuracy errors which will vary based
on board layout and the type and magnitude of the activity.
2 This is the conversion time for subsequent conversions in continuous convert mode. Actual conversion time for single conversions
or the rst conversion in continuous mode is extended by one ATD clock cycle and 2 bus cycles due to starting the conversion and
setting the CCF ag. The total conversion time in Bus Cycles for a conversion is:
SC Bus Cycles = ((PRS+1)*2) * (28+1) + 2
CC Bus Cycles = ((PRS+1)*2) * (28)
3
RAS is the real portion of the impedance of the network driving the analog input pin. Values greater than this amount may not fully
charge the input circuitry of the ATD resulting in accuracy error.
4 Analog input must be between V
REFL and VREFH for valid conversion. Values greater than VREFH will convert to $3FF less the full
scale error (EFS).
5 The resolution is the ideal step size or 1LSB = (V
REFH–VREFL)/1024
6 Differential non-linearity is the difference between the current code width and the ideal code width (1LSB). The current code width
is the difference in the transition voltages to and from the current code.
7 Integral non-linearity is the difference between the transition voltage to the current code and the adjusted ideal transition voltage
for the current code. The adjusted ideal transition voltage is (Current Code–1/2)*(1/((VREFH+EFS)–(VREFL+EZS))).
8 Zero-scale error is the difference between the transition to the rst valid code and the ideal transition to that code. The Ideal
transition voltage to a given code is (Code–1/2)*(1/(VREFH–VREFL)).
9 Full-scale error is the difference between the transition to the last valid code and the ideal transition to that code. The ideal
transition voltage to a given code is (Code–1/2)*(1/(VREFH–VREFL)).
10 Input leakage error is error due to input leakage across the real portion of the impedance of the network driving the analog pin.
Reducing the impedance of the network reduces this error.
11 Total unadjusted error is the difference between the transition voltage to the current code and the ideal straight-line transfer
function. This measure of error includes inherent quantization error (1/2LSB) and circuit error (differential, integral, zero-scale, and
full-scale) error. The specied value of ET assumes zero EIL (no leakage or zero real source impedance).
Table A-9. ATD Timing/Performance Characteristics1 (continued)
No.
Characteristic
Condition
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC9S08GT8ACFBER | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B 8K FLASH 1K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S08GT8ACFBER | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:8-BIT MICROCONTROLLER IC HCS08 40MHZ |
| MC9S08GT8ACFCE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT 8K FLASH 1K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S08GT8ACFDE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT 8K FLASH 1K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S08GT8ACFDER | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT 8K FLASH 1K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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