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参数资料
| 型号： | MC9S08GW32CLK |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 35/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 32KB FLASH 80LQFP |
| 标准包装： | 450 |
| 系列： | S08 |
| 核心处理器： | S08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | I²C，LIN，SCI，SPI |
| 外围设备： | LCD，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 45 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 16x16b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 80-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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MC9S08GW64 Series MCU Data Sheet, Rev. 3
Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
40
3.14
LCD Specifications
3.15
FLASH Specifications
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the FLASH memory.
Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply. For more detailed
information about program/erase operations, see the Memory section.
Table 21. LCD Electricals, 3-V Glass
C
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
D
LCD Frame Frequency
fFrame
28
30
58
Hz
D
LCD Charge Pump Capacitance
CLCD
100
nF
D
LCD Bypass Capacitance
CBYLCD
100
nF
D
LCD Glass Capacitance
Cglass
2000
8000
pF
DVIREG
HRefSel = 0
VIREG
.89
1.00
1.15
V
HRefSel = 1
1.49
1.67
1.851
1 V
IREG Max can not exceed VDD -0.15 V
DVIREG TRIM Resolution
RTRIM
1.5
%
VIREG
DVIREG Ripple
HRefSel = 0
.1
V
HRefSel = 1
.15
Table 22. FLASH Characteristics
C
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
D
Supply voltage for program/erase
-40
C to 85CV
prog/erase
1.8
3.6
V
D
Supply voltage for read operation
VRead
1.8
3.6
V
D
Internal FCLK frequency1
1
The frequency of this clock is controlled by a software setting.
fFCLK
150
200
kHz
D
Internal FCLK period (1/FCLK)
tFcyc
56.67
s
P
Byte program time (random location)2
tprog
9tFcyc
P
Byte program time (burst mode)2
tBurst
4tFcyc
P
Page erase time2
tPage
4000
tFcyc
P
Mass erase time2
tMass
20,000
tFcyc
D
Byte program current3
RIDDBP
—4
—
mA
D
Page erase current3
RIDDPE
—6
—
mA
C
Program/erase endurance4
TL to TH = –40C to + 85C
T = 25
C
10,000
—
100,000
—
cycles
C
Data retention5
tD_ret
15
100
—
years
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