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参数资料
| 型号： | MC9S08LL8CGT |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 10KB FLASH 48-QFN |
| 产品培训模块： | LCD Design Solutions MC9S08LL64/36 LCD MCU Introduction |
| 标准包装： | 260 |
| 系列： | S08 |
| 核心处理器： | S08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | I²C，SCI，SPI |
| 外围设备： | LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 31 |
| 程序存储器容量： | 10KB（10K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 8x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 727 (CN2011-ZH PDF) |
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MC9S08LL16 Series MCU Data Sheet, Rev. 7
Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
12
where K is a constant pertaining to the particular part. K can be determined from equation 3 by measuring
PD (at equilibrium) for a known TA. Using this value of K, the values of PD and TJ can be obtained by
3.5
ESD Protection and Latch-Up Immunity
Although damage from electrostatic discharge (ESD) is much less common on these devices than on early
CMOS circuits, normal handling precautions should be taken to avoid exposure to static discharge.
Qualification tests are performed to ensure that these devices can withstand exposure to reasonable levels
of static without suffering any permanent damage.
All ESD testing is in conformity with AEC-Q100 Stress Test Qualification for Automotive Grade
Integrated Circuits. During the device qualification, ESD stresses were performed for the human body
model (HBM), the machine model (MM) and the charge device model (CDM).
A device is defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets the device
specification. Complete DC parametric and functional testing is performed per the applicable device
specification at room temperature followed by hot temperature, unless instructed otherwise in the device
specification.
Table 6. ESD and Latch-up Test Conditions
Model
Description
Symbol
Value
Unit
Human
Body Model
Series resistance
R1
1500
Ω
Storage capacitance
C
100
pF
Number of pulses per pin
—
3
Charge
Device
Model
Series resistance
R1
0
Ω
Storage capacitance
C
200
pF
Number of pulses per pin
—
3
Latch-up
Minimum input voltage limit
–2.5
V
Maximum input voltage limit
7.5
V
Table 7. ESD and Latch-Up Protection Characteristics
No.
Rating1
1 Parameter is achieved by design characterization on a small sample size from typical devices
under typical conditions unless otherwise noted.
Symbol
Min
Max
Unit
1
Human body model (HBM)
VHBM
±2000
—
V
2
Charge device model (CDM)
VCDM
±500
—
V
3
Latch-up current at TA = 85°CILAT
±100
—
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S08LL8CLF | IC MCU 8BIT 10KB FLASH 48-LQFP |
| VI-B1M-CU-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 200W |
| MC908JL8CDWER | IC MCU 8K FLASH 28-SOIC |
| VI-B1L-CU-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W |
| VI-B1K-CU-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 40V 200W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC9S08LL8CLF | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 8KFLASH 2KRAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S08LL8CLF | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:IC 8BIT MCU HCS08 20MHZ LQFP-48 |
| MC9S08LL8CLH | 功能描述:IC MCU 8BIT 10KB FLASH 64-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:S08 标准包装:1 系列:AVR® ATmega 核心处理器:AVR 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:I²C，SPI，UART/USART 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，WDT 输入/输出数:32 程序存储器容量:32KB（16K x 16） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:1K x 8 RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:44-TQFP 包装:剪切带 (CT) 其它名称:ATMEGA324P-B15AZCT |
| MC9S08MM128 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Advanced Information |
| MC9S08MM128CLH | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 128K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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