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参数资料
| 型号： | MC9S08QA2CPAE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 30/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 2K FLASH 8-DIP |
| 产品培训模块： | 8-Bit Microcontroller Overview |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | S08 |
| 核心处理器： | S08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 4 |
| 程序存储器容量： | 2KB（2K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 160 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 728 (CN2011-ZH PDF) |
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Electrical Characteristics
MC9S08QA4 Series MCU Data Sheet, Rev. 3
Freescale Semiconductor
7
A device is defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets the device specification. Complete
DC parametric and functional testing is performed per the applicable device specification at room temperature followed by hot
temperature, unless specified otherwise in the device specification.
3.5
DC Characteristics
This section includes information about power supply requirements and I/O pin characteristics.
Table 4. ESD and Latch-up Test Conditions
Model
Description
Symbol
Value
Unit
Human
Body
Series resistance
R1
1500
Ω
Storage capacitance
C
100
pF
Number of pulses per pin
3
Machine
Series resistance
R1
0
Ω
Storage capacitance
C
200
pF
Number of pulses per pin
3
Latch-up
Minimum input voltage limit
–2.5
V
Maximum input voltage limit
7.5
V
Table 5. ESD and Latch-Up Protection Characteristics
No.
Rating1
1 Parameter is achieved by design characterization on a small sample size from typical devices
under typical conditions unless otherwise noted.
Symbol
Min
Max
Unit
1
Human body model (HBM)
VHBM
±2000
—
V
2
Machine model (MM)
VMM
±200
—
V
3
Charge device model (CDM)
VCDM
±500
—
V
4
Latch-up current at TA = 85°CILAT
±100
—
mA
Table 6. DC Characteristics (Temperature Range = –40 to 85
°C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Supply voltage (run, wait, and stop modes)
V
(VDD falling)
VDD
1.8
—
3.6
(VDD rising)
VLVDL
(rising)
—3.6
Minimum RAM retention supply voltage applied to VDD
VRAM
Vpor
1,2
——
V
Low-voltage detection threshold
(VDD falling)
VLVD
1.80
1.82
1.91
V
(VDD rising)
1.88
1.90
1.99
Low-voltage warning threshold
(VDD falling)
VLVW
2.08
2.1
2.2
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC9S08QA2CPAE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:IC 8BIT MCU HCS08 20MHZ DIP-8 |
| MC9S08QA4 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:8-bit HCS08 Central Processor Unit (CPU) |
| MC9S08QA4_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Technical Data |
| MC9S08QA4CDNE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 9S08QA4 - CI RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S08QA4CEDNE | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Technical Data |
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