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参数资料
| 型号： | MC9S08QA4CDNE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 4K FLASH 8-SOIC |
| 产品培训模块： | 8-Bit Microcontroller Overview |
| 标准包装： | 98 |
| 系列： | S08 |
| 核心处理器： | S08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 4 |
| 程序存储器容量： | 4KB（4K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 728 (CN2011-ZH PDF) |
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MC9S08QA4 Series MCU Data Sheet, Rev. 3
Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
18
Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply. For more detailed
information about program/erase operations, see MC9S08QA4 Series Reference Manual.
Table 14. Flash Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Supply voltage for program/erase
–40
°C to 85°CV
prog/erase
1.8
—
3.6
V
Supply voltage for read operation
VRead
1.8
—
3.6
V
Internal FCLK frequency1
1 The frequency of this clock is controlled by a software setting.
fFCLK
150
—
200
kHz
Internal FCLK period (1/FCLK)
tFcyc
5
—
6.67
μs
Byte program time (random location)2
tprog
9tFcyc
Byte program time (burst mode)2
tBurst
4tFcyc
Page erase time2
2 These values are hardware state machine controlled. User code does not need to count cycles. This information supplied for
calculating approximate time to program and erase.
tPage
4000
tFcyc
Mass erase time2
tMass
20,000
tFcyc
Program/erase endurance3
TL to TH = –40°C to + 85°C
T = 25
°C
3 Typical endurance for flash was evaluated for this product family on the 9S12Dx64. For additional information on how
Motorola defines typical endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619/D, Typical Endurance for Nonvolatile Memory.
10,000
—
100,000
—
cycles
Data retention4
4 Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated
to 25
°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale defines typical data retention, please refer
to Engineering Bulletin EB618/D, Typical Data Retention for Nonvolatile Memory.
tD_ret
15
100
—
years
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B60-CU-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 5V 200W |
| MC9S08QA2CDNE | IC MCU 8BIT 2K FLASH 8-SOIC |
| MC9S08JM60CGT | IC MCU 8BIT 60K FLASH 48-QFN |
| VI-B5H-CU-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 52V 200W |
| MC9S08DZ48MLH | IC MCU 48K FLASH 3K RAM 64-LQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC9S08QA4CEDNE | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Technical Data |
| MC9S08QA4CFQE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 9S08QA4 - CI RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S08QA4CFQEE | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Technical Data |
| MC9S08QA4CPAE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 9S08QA4 - CI RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S08QB4CGK | 功能描述:8位微控制器 -MCU S08 4K FLASH QB4 QFN24 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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