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参数资料
| 型号： | MC9S08QD4MSC |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO8 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MS-012AA, SOIC-8 |
| 文件页数： | 103/202页 |
| 文件大小： | 2465K |
| 代理商： | MC9S08QD4MSC |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页当前第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页
Appendix A Electrical Characteristics
MC9S08QD4 Series MCU Data Sheet, Rev. 5
Freescale Semiconductor
191
A.10
Flash Specifications
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the flash
memory.
Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply.
For more detailed information about program/erase operations, see the Memory section.
Zero-Scale Error
10 bit mode
EZS
0
±1.5
±3.1
LSB
VADIN = VSSA
8 bit mode
0
±0.5
±0.7
Full-Scale Error
10 bit mode
EFS
0
±1.0
±1.5
LSB
VADIN = VDDA
8 bit mode
0
±0.5
Quantization Error
10 bit mode
EQ
——
±0.5
LSB
8 bit mode is
not truncated
1 Typical values assume V
DDAD = 5.0 V, Temp = 25°C, fADCK=1.0 MHz unless otherwise stated. Typical values are for reference
only and are not tested in production.
2 At 4 MHz, for maximum frequency, use proportionally lower source impedance.
Table A-11. Flash Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Supply voltage for program/erase
–40
°C to 125°CV
prog/erase
2.7
5.5
V
Supply voltage for read operation
VRead
2.7
5.5
V
Internal FCLK frequency1
1
The frequency of this clock is controlled by a software setting.
fFCLK
150
200
kHz
Internal FCLK period (1/FCLK)
tFcyc
56.67
μs
Byte program time (random location)(2)
tprog
9tFcyc
Byte program time (burst mode)(2)
tBurst
4tFcyc
Page erase time2
2 These values are hardware state machine controlled. User code does not need to count cycles. This information supplied for
calculating approximate time to program and erase.
tPage
4000
tFcyc
Mass erase time(2)
tMass
20,000
tFcyc
Program/erase endurance3
TL to TH = –40°C to + 125°C
T = 25
°C
3 Typical endurance for flash was evaluated for this product family on the 9S12Dx64. For additional information on how
Freescale defines typical endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619/D, Typical Endurance for Nonvolatile Memory.
10,000
—
100,000
—
cycles
Data retention4
4 Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated
to 25
°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale defines typical data retention, please refer
to Engineering Bulletin EB618/D, Typical Data Retention for Nonvolatile Memory.
tD_ret
15
100
—
years
Table A-10. ADC Characteristics (continued)
Characteristic
Conditions
Symb
Min
Typ1
Max
Unit
Comment
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