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参数资料
| 型号： | MC9S08RE32CFJ |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| 封装： | LQFP-32 |
| 文件页数： | 123/232页 |
| 文件大小： | 2818K |
| 代理商： | MC9S08RE32CFJ |
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SoC Guide — MC9S08RG60/D V1.08
MOTOROLA
209
MC9S08RC/RD/RE/RG
A.4 Electrostatic Discharge (ESD) Protection Characteristics
Although damage from static discharge is much less common on these devices than on early CMOS
circuits, normal handling precautions should be used to avoid exposure to static discharge. Qualification
tests are performed to ensure that these devices can withstand exposure to reasonable levels of static
without suffering any permanent damage. All ESD testing is in conformity with CDF-AEC-Q00 Stress
Test Qualification for Automotive Grade Integrated Circuits. (http://www.aecouncil.com/) A device is
considered to have failed if, after exposure to ESD pulses, the device no longer meets the device
specification requirements. Complete dc parametric and functional testing is performed per the applicable
device data sheet at room temperature followed by hot temperature, unless specified otherwise in the
device data sheet.
A.5 DC Characteristics
This section includes information about power supply requirements, I/O pin characteristics, and power
supply current in various operating modes.
Table A-3 ESD Protection Characteristics
Parameter
Symbol
Value
Unit
ESD Target for Machine Model (MM)
MM circuit description
VTHMM
200
V
ESD Target for Human Body Model (HBM)
HBM circuit description
VTHHBM
2000
V
Table A-4 DC Characteristics (Temperature Range = –40 to 85
°C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Supply voltage (run, wait and stop modes.)
0 < fBus < 8 MHz
VDD
1.8
3.6
V
Minimum RAM retention supply voltage applied to VDD
VRAM
VPOR
(1), (2)
—V
Low-voltage detection threshold
(VDD falling)
(VDD rising)
VLVD
1.82
1.92
1.88
1.96
1.93
2.01
V
Low-voltage warning threshold
(VDD falling)
(VDD rising)
VLVW
2.07
2.16
2.13
2.21
2.18
2.26
V
Power on reset (POR) voltage
VPOR
0.85
1.0
1.2
V
Maximum low-voltage safe state re-arm(3)
VREARM
—
3.0
V
Input high voltage (VDD > 2.3 V) (all digital inputs)
VIH
0.70
× V
DD
—V
Input high voltage (1.8 V
≤ V
DD ≤ 2.3 V) (all digital inputs)
VIH
0.85
× V
DD
—V
Input low voltage (VDD > 2.3 V) (all digital inputs)
VIL
—
0.35
×
VDD
V
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PDF描述 |
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