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参数资料
| 型号： | MC9S08SV16CLC |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/40页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 16K FLASH 32-LQFP |
| 标准包装： | 1,250 |
| 系列： | S08 |
| 核心处理器： | S08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 连通性： | I²C，LIN，SCI，SPI |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 30 |
| 程序存储器容量： | 16KB（16K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 12x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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MC9S08SV16 Series Data Sheet, Rev. 2
Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
12
5.6
DC Characteristics
This section includes information about power supply requirements and I/O pin characteristics.
Table 6. ESD and Latch-Up Protection Characteristics
No.
Rating1
1 Parameter is achieved by design characterization on a small sample size from typical devices
under typical conditions unless otherwise noted.
Symbol
Min
Max
Unit
1
Human body model (HBM)
VHBM
±2000
—
V
2
Charge device model (CDM)
VCDM
±500
—
V
3
Latch-up current at TA = 85 °CILAT
±100
—
mA
Table 7. DC Characteristics
Num C
Characteristic
Symbol
Condition
Min.
Typical1
Max.
Unit
1
— Operating voltage
—
2.7
—
5.5
V
2
C
Output high
voltage
All I/O pins,
low-drive strength
VOH
VDD > 2.7 V,
ILoad = –2 mA
VDD – 0.5
—
V
P
All I/O pins,
high-drive strength
VDD > 4.1 V,
ILoad = –10 mA
VDD – 0.5
—
C
VDD > 2.7 V,
ILoad = –2 mA
VDD – 0.5
—
3
D
Output high
current
Max total IOH for all ports
IOHT
——
—
100
mA
4
C
Output low
voltage
All I/O pins,
low-drive strength
VOL
VDD > 2.7 V,
ILoad = 0.6 mA
——
0.5
V
P
All I/O pins,
high-drive strength
VDD > 4.1 V,
ILoad = 10 mA
——
0.5
C
VDD > 2.7 V,
ILoad = 3 mA
——
0.5
D
Output low
current
Max total IOL for all ports
IOLT
——
—
100
mA
5
6
P Input high
voltage
All digital inputs
VIH
VDD > 4.1 V
0.70
× V
DD
——
V
CVDD > 2.7 V
0.85
× V
DD
——
7
P Input low
voltage
All digital inputs
VIL
VDD > 4.1 V
—
0.35
× V
DD
CVDD > 2.7 V
—
0.30
× V
DD
8C
Input
hysteresis
All digital inputs
Vhys
—0.06
× V
DD
——
mV
9P
Input
leakage
current
All input only pins
(per pin)
|IIn|VIn = VDD or VSS
—0.1
1
μA
10
P
Hi-Z
(off-state)
leakage
current
All input/output
(per pin)
|IOZ|VIn = VDD or VSS
—0.1
1
μA
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