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参数资料
| 型号： | MC9S12A128CFUE |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| 封装： | PLASTIC, LQFP-80 |
| 文件页数： | 16/142页 |
| 文件大小： | 6464K |
| 代理商： | MC9S12A128CFUE |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页当前第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页
Device User Guide — 9S12DT128DGV2/D V02.15
112
Freescale Semiconductor
The setup time can be ignored for this operation.
A.3.1.4 Mass Erase
Erasing a NVM block takes:
The setup time can be ignored for this operation.
A.3.1.5 Blank Check
The time it takes to perform a blank check on the Flash or EEPROM is dependant on the location of the
first non-blank word starting at relative address zero. It takes one bus cycle per word to verify plus a setup
of the command.
Table A-11 NVM Timing Characteristics
Conditions are shown in (Table A-4) unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
D External Oscillator Clock
fNVMOSC
0.5
50 1
NOTES:
1. Restrictions for oscillator in crystal mode apply!
MHz
2
D Bus frequency for Programming or Erase Operations
fNVMBUS
1
MHz
3
D Operating Frequency
fNVMOP
150
200
kHz
4
P Single Word Programming Time
tswpgm
46 2
2. Minimum Programming times are achieved under maximum NVM operating frequency fNVMOP and maximum bus frequency
fbus.
74.5 3
3. Maximum Erase and Programming times are achieved under particular combinations of fNVMOP and bus frequency fbus.
Refer to formulae in Sections Section A.3.1.1 Single Word Programming- Section A.3.1.4 Mass Erasefor guidance.
s
5
D Flash Row Programming consecutive word 4
4. Row Programming operations are not applicable to EEPROM
tbwpgm
20.4 (2)
31 (3)
s
6
D Flash Row Programming Time for 32 Words (4)
tbrpgm
678.4 (2)
1035.5 (3)
s
7
P Sector Erase Time
tera
20 5
5. Minimum Erase times are achieved under maximum NVM operating frequency fNVMOP.
26.7 (3)
ms
8
P Mass Erase Time
tmass
100 (5)
133 (3)
ms
9
D Blank Check Time Flash per block
tcheck
11 6
6. Minimum time, if first word in the array is not blank
32778 7
7. Maximum time to complete check on an erased block
tcyc
10
D Blank Check Time EEPROM per block
tcheck
11 (6)
1034(7)
tcyc
t
era
4000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
mass
20000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
check
location t
cyc
10 t
cyc
+
≈
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PDF描述 |
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