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参数资料
| 型号： | MC9S12DT256MFU |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| 封装： | QFP-80 |
| 文件页数： | 10/130页 |
| 文件大小： | 2077K |
| 代理商： | MC9S12DT256MFU |
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MC9S12DT256 Device User Guide V03.03
105
A.3.2 NVM Reliability
The reliability of the NVM blocks is guaranteed by stress test during qualification, constant process
monitors and burn-in to screen early life failures.
The failure rates for data retention and program/erase cycling are specified at the operating conditions
noted.
The program/erase cycle count on the sector is incremented every time a sector or mass erase event is
executed.
NOTE:
All values shown in Table A-12 are target values and subject to further extensive
characterization.
3. Maximum Erase and Programming times are achieved under particular combinations of fNVMOP and bus frequency fbus.
4. Burst Programming operations are not applicable to EEPROM
5. Minimum Erase times are achieved under maximum NVM operating frequency fNVMOP.
6. Minimum time, if first word in the array is not blank
7. Maximum time to complete check on an erased block
Table A-12 NVM Reliability Characteristics
Conditions are shown in Table A-4 unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1C
Data Retention at an average junction temperature of
TJavg = 70°C
tNVMRET
15
Years
2
C Flash number of Program/Erase cycles
nFLPE
1000
10,000
Cycles
3C
EEPROM number of Program/Erase cycles
(–40
°C
≤ T
J ≤ 0°C)
nEEPE
10,000
Cycles
4C
EEPROM number of Program/Erase cycles
(0
°C < T
J ≤ 140°C)
nEEPE
100,000
Cycles
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DG256CFU | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| MC9S12DT256VPV | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| MC9S12A256CPV | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| MC9S12DG256VPV | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| MC9S12DT256VFU | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC9S12DT256MFUE | 功能描述:16位微控制器 - MCU BARRACUDA4 MOS13 EPP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S12DT256MPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU BARRACUDA4 MOS13 L01Y RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S12DT256VFUE | 功能描述:16位微控制器 - MCU BARRACUDA4 MOS13 EPP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S12DT256VPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU BARRACUDA4 MOS13 L01Y RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT |
| MC9S12DT512CPVE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:16-BIT HCS12 CISC 512KB FLASH 2.5V/5V 112-PIN LQFP BRICK - Bulk |
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