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参数资料
| 型号： | MC9S12KG64VPV |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| 封装： | LQFP-112 |
| 文件页数： | 7/126页 |
| 文件大小： | 6758K |
| 代理商： | MC9S12KG64VPV |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页当前第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页
Device User Guide — 9S12KT256DGV1/D V01.09
104
Freescale Semiconductor
A.6.2 NVM Reliability
The reliability of the NVM blocks is guaranteed by stress test during qualification, constant process
monitors and burn-in to screen early life failures.
The failure rates for data retention and program/erase cycling are specified at the operating conditions
noted.
The program/erase cycle count on the sector is incremented every time a sector or mass erase event is
executed.
NOTE:
All values shown in Table A-17 are target values and subject to further extensive
characterization.
Table A-17 NVM Reliability Characteristics
Conditions are shown in Table A-4 unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
C
Data Retention at an average junction temperature of
TJavg = 70°C
tNVMRET
15
Years
2
C Flash number of Program/Erase cycles
nFLPE
1000
10,000
Cycles
3
C
EEPROM number of Program/Erase cycles
(–40
°C
≤ T
J ≤ 0°C)
nEEPE
10,000
Cycles
4
C
EEPROM number of Program/Erase cycles
(0
°C < T
J ≤ 140°C)
nEEPE
100,000
Cycles
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