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参数资料
| 型号： | MCD310-14IO1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD THYRISTOR/DIODE 1400V Y2-DCB |
| 其它有关文件： | SCR Module Selection Guide |
| 标准包装： | 2 |
| 结构： | 串联 - SCR/二极管 |
| SCR 数目，二极管： | 1 SCR，1 个二极管 |
| 电压 - 断路： | 1400V |
| 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）： | 150mA |
| 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）： | 320A |
| 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）： | 500A |
| 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)： | 9200A，9800A |
| 电流 - 维持(Ih)： | 150mA |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y2-DCB |
| 包装： | 散装 |
MCC 310
MCD 310
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
I RRM
I DRM
V T , V F
V T0
r T
T VJ = T VJM ; V R = V RRM ; V D = V DRM
I T , I F = 600 A; T VJ = 25 ° C
For power-loss calculations only (T VJ = 140 ° C)
70
40
1.32
0.8
0.82
mA
mA
V
V
m W
V GT
I GT
V GD
I GD
V D = 6 V;
V D = 6 V;
T VJ = T VJM ;
T VJ = 25 ° C
T VJ = -40 ° C
T VJ = 25 ° C
T VJ = -40 ° C
V D = 2/3 V DRM
2
3
150
200
0.25
10
V
V
mA
mA
V
mA
I L
I H
T VJ = 25 ° C; t P = 30 m s; V D = 6 V
I G = 0.45 A; di G /dt = 0.45 A/ m s
T VJ = 25 ° C; V D = 6 V; R GK = ￥
200
150
mA
mA
t gd
t q
Q S
I RM
T VJ = 25 ° C; V D = 1/2 V DRM
I G = 1 A; di G /dt = 1 A/ m s
T VJ = T VJM ; I T = 300 A, t P = 200 m s; -di/dt = 10 A/ m s
V R = 100 V; dv/dt = 50 V/ m s; V D = 2/3 V DRM
T VJ = 125 ° C; I T , I F = 400 A, -di/dt = 50 A/ m s
2
typ. 200
760
275
m s
m s
m C
A
Fig. 1 Gate trigger characteristics
R thJC
per
thyristor/diode; DC current
0.112
K/W
per
module
other values
0.056
K/W
R thJK
per
per
thyristor/diode; DC current
module
see Fig. 8/9
0.152
0.076
K/W
K/W
d S
d A
a
Creepage distance on surface
Strike distance through air
Maximum allowable acceleration
12.7
9.6
50
mm
mm
m/s 2
Optional accessories for modules
Keyed gate/cathode twin plugs with wire length = 350 mm, gate = yellow, cathode = red
Type ZY 180L (L = Left for pin pair 4/5) UL 758, style 1385,
Type ZY 180R (R = right for pin pair 6/7) CSA class 5851, guide 460-1-1
Fig. 2 Gate trigger delay time
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Threaded spacer for higher Anode/
MCC
? 2000 IXYS All rights reserved
MCD
Cathode construction:
Type ZY 250 , material brass
20
14
12
2-4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MCD312-12io1 | 功能描述:分立半导体模块 312 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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