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参数资料
| 型号： | MCH3245 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, MCPH3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | MCH3245 |
MCH3145 / MCH3245
No.8211-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--165)130 (--330)260
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--)0.9
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=(--)100A, RBE=0
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(35)35
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(200)330
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(24)40
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2194A
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : MCPH3
0.25
0.07
2.1
1.6
2.0
0.65
0.3
0.85
0.15
1
2
3
12
3
(Bottom view)
(Top view)
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--1.0
--1.4
--1.8
--0.4
--0.2
--0.6
0
IC -- VCE
0
--0.4
--0.2
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
IB=0
IC -- VCE
MCH3145
MCH3245
--10mA
--8mA
--40mA
10mA
15mA
20mA
30mA
8mA
2mA
4mA
6mA
IB=0
--4mA
--6mA
--2mA
IT09096
IT09097
2.0
1.6
1.2
0.8
1.0
1.4
1.8
0.4
0.2
0.6
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.2
1.0
1.4
1.6
1.8
2.0
--20mA
--60mA
--80mA
--100mA
50mA
40mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector
Current,
I
C
-
A
VR
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=0.7A
For PNP, the polarity is reversed.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH3145 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH3145 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH3301 | 1000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH3302 | 1000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH3307 | 1000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH3245-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MCH325C334KP | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:C1210X334K050 |
| MCH3301 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| MCH3302 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| MCH3306 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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