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参数资料
| 型号： | MCH3312 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MCPH3, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | MCH3312 |
MCH3312
No.7009-3/4
01234
6
5
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --2A
IT03231
0
20
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
60
80
100
120
140
160
PD -- Ta
IT03233
A S O
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
--1.0
--0.1
--0.01
--0.1
23
5 7--1.0
--0.01 23
5 7
2 3
5 7
7
--10
23
5 --100
IT03232
IDP= --8A
ID= --2A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
100
s
100ms
DC
operation
1ms
10ms
<10
s
--0.1
--1.0
23
5
7
23
5
7
5
3
2
10
100
7
5
3
2
1.0
SW Time -- ID
VDD= --15V
VGS= --10V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT03229
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT03227
--0.01
--0.1
23
5
7
23
5
7
23
5
7
--1.0
--10
10
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
yfs -- ID
VDS= --10V
75
°C
25
°C
Ta=
--25
°C
IT03228
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
--0.01
--0.1
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
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2
IF -- VSD
VGS=0
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
10
100
3
2
7
5
3
2
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
IT03230
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allo
w
able
Po
wer
Dissipation,
P
D
--
W
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain Current, ID -- A
F
orw
ard
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Diode Forward Voltage, VSD -- V
F
orw
ard
Current,
I
F
--
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board(900mm2!0.8mm)
Mounted
on
a
ceramic
board(900mm
2!
0.8mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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