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参数资料
| 型号： | MCH3315 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MCPH3, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | MCH3315 |
MCH3315
No.8030-3/4
0
20
40
0.2
0.4
0.6
0.8
0.9
1.0
60
80
100
120
140
160
IT07671
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
--1.0
--0.1
--0.01
2
3
57
2
3
57
--1.0
--0.1
--10
23
5 7 --100
IT07676
0123456
0
--2
--4
--6
--8
--10
VGS -- Qg
IT05484
PD -- Ta
A S O
IDP= --4A
ID= --1A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
100
s
100ms
DC
operation
(T
a=25
°C)
1ms
10ms
<10
s
--0.1
--1.0
23
5
7
2
3
2
100
10
7
5
7
5
3
2
1.0
SW Time -- ID
VDD= --30V
VGS= --10V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT05482
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT05480
--0.01
--0.1
23
5
7
2
35
7 --1.0
3
5
1.0
3
2
0.1
7
5
3
2
yfs -- ID
VDS= --10V
75
°C
25
°C
Ta=
--25
°C
IT05481
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--0.01
--0.1
5
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
IF -- VSD
VGS=0
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
3
10
1000
100
2
7
5
3
2
7
5
3
7
5
IT05483
Ciss
f=1MHz
Crss
Coss
VDS= --30V
ID= --1A
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain Current, ID -- A
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
W
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm2!0.8mm)
Mounted
on
a
ceramic
board
(900mm
2!
0.8mm)
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