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参数资料
| 型号： | MCH3359 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1200 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MCPH3, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | MCH3359 |
MCH3359
No.8108-3/4
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.1
--0.01
23
5
3
7
23
5 7
23
5 7
--0.01
--0.1
--1.0
--10
2
IT08248
IT07288
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.2
--1.1
--0.01
--0.1
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
IF -- VSD
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
VGS=0
IT07286
yfs -- ID
--0.1
--0.01
57
23
57
23
--1.0
23
1.0
5
7
2
3
5
2
3
0.1
Ta=
--25
°C
75°
C
25
°C
VDS= --10V
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Drain Current, ID -- A
Forward
Current,
I
F
--
A
Diode Forward Voltage, VSD -- V
SW Time -- ID
IT07290
100
10
2
3
5
7
3
2
5
7
3
2
--0.01
--0.1
23
5
7
23
5
7
2
--1.0
3
VDD= --15V
VGS= --10V
td(off)
td(on)
tf
tr
0
10
100
3
7
5
3
2
--30
--5
--10
--15
--20
--25
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT07292
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
A S O
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.1
--0.01
23
5
3
7
23
5 7
23
5 7
--0.01
--0.1
--1.0
--10
2
VGS -- Qg
IT07294
0
0.5
0
--1
--2
--3
--5
--4
--6
--7
--8
--9
3.5
--10
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
<10
s
1ms
10ms
100ms
Operation in this area
is limited by RDS(on).
ID= --1.2A
DC
operation
(T
a=25
°C)
IDP= --4.8A
VDS= --10V
ID= --1.2A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Drain Current, ID -- A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm2!0.8mm)
PD -- Ta
IT08249
0
20
40
60
80
100
120
0.8
1.0
140
160
0.6
0.4
0.2
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
-
W
Mounted
on
a
ceramic
board
(900mm
2!
0.8mm)
100
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH3376 | 1500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH3376 | 1500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH3377 | 3000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH3377 | 3000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH3402 | 1400 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH3360 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH3360-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Pch -30V -1.8A 235m@10V MCPH3 Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| MCH3374 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH3374_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH3374-TL-E | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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