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参数资料
| 型号： | MCH3484-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 4.5A 20V MCPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 2A，2.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800 mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 2.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 3-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH3484
10000
7
5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
2.5
VDS=10V
ID=4.5A
VGS -- Qg
3
2
2.0
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
Ciss
C o ss
Crss
1.5
1.0
0.5
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
10
1m 00 μ
100
7
5
3
2
10
7
5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ASO
IDP=18A (PW ≤ 10 μ s)
1 μ s
ID=4.5A s s
IT16118
1.2
1.0
0.8
Total Gate Charge, Qg -- nC IT16119
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
DC
10
ms
1
op
e a 0 m
1.0 r t 0 s
i n
5 (T
=2
a
Operation in this area
5 °
C)
Ta=25 ° C
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
0.01
3
2
3
2
0.1
7
5
3
0.01
is limited by RDS(on).
2 Single pulse
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
7 o
2 3
5 7 100
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16121
No. A1883-4/7
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PDF描述 |
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| MCH38FK102J-Y | 功能描述:云母电容器 1000uF 2500Volts RoHS:否 电容:100 pF 容差:5 % 电压额定值:300 V 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 温度系数:0 PPM / C, 70 PPM / C 端接类型:Radial 封装 / 箱体: 产品:Mica Standard Dipped Capacitors 制造商:Cornell Dubilier |
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| MCH38FK271J-Y | 功能描述:云母电容器 270uF 2500Volts RoHS:否 电容:100 pF 容差:5 % 电压额定值:300 V 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 温度系数:0 PPM / C, 70 PPM / C 端接类型:Radial 封装 / 箱体: 产品:Mica Standard Dipped Capacitors 制造商:Cornell Dubilier |
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