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参数资料
型号： MCH4015
厂商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： HALOGEN FREE, MCPH4, SC-82AB, SC-82, 4 PIN
文件页数： 7/9页
文件大小： 368K
代理商： MCH4015
MCH4015
No. A1911-7/9
S Parameters (Common emitter)
VCE=5V, IC=80mA
Freq(MHz)
S11∠S11
S21∠S21
S12∠S12
S22∠S22
100
0.558
-133.0
39.014
127.8
0.009
54.5
0.618
-33.7
200
0.671
-155.6
23.364
107.6
0.012
52.6
0.457
-41.5
300
0.704
-165.1
16.107
97.6
0.014
57.5
0.415
-45.4
400
0.718
-170.7
12.150
91.5
0.017
62.9
0.395
-49.0
500
0.716
-173.4
9.907
86.7
0.021
66.8
0.385
-50.4
600
0.717
-177.0
8.214
83.3
0.024
69.5
0.378
-52.4
700
0.718
179.9
7.015
80.4
0.028
72.5
0.364
-54.4
800
0.720
177.1
6.091
77.8
0.031
73.9
0.354
-57.0
900
0.723
174.5
5.413
75.3
0.035
75.7
0.351
-59.7
1000
0.723
172.3
4.829
72.9
0.039
76.8
0.346
-62.4
1200
0.728
168.3
4.009
68.8
0.047
78.1
0.343
-67.0
1400
0.731
164.7
3.423
64.7
0.055
78.9
0.347
-71.8
1600
0.735
161.2
2.987
60.8
0.063
78.9
0.352
-76.2
1800
0.738
157.9
2.662
57.1
0.072
79.1
0.359
-80.6
2000
0.740
155.0
2.393
53.5
0.081
78.7
0.369
-85.3
2200
0.741
151.7
2.179
50.0
0.090
78.2
0.379
-89.5
2400
0.743
148.6
1.993
46.4
0.099
77.4
0.391
-93.5
2600
0.744
145.6
1.843
43.0
0.109
76.5
0.404
-97.4
2800
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142.4
1.716
39.6
0.119
75.4
0.418
-101.3
3000
0.744
139.2
1.601
36.3
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74.2
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-105.1
VCE=8V, IC=10mA
Freq(MHz)
S11∠S11
S21∠S21
S12∠S12
S22∠S22
100
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-33.9
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0.014
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0.941
-18.1
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-64.8
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138.6
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62.4
0.839
-32.6
300
0.715
-90.5
17.690
124.1
0.032
55.0
0.739
-44.1
400
0.697
-109.0
14.905
113.1
0.037
50.3
0.685
-52.2
500
0.704
-120.4
13.108
105.8
0.041
49.3
0.652
-56.5
600
0.678
-130.9
11.176
99.3
0.044
47.7
0.591
-60.6
700
0.659
-139.5
9.599
94.2
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47.3
0.544
-63.3
800
0.645
-146.9
8.439
89.7
0.048
47.3
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-66.1
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-152.9
7.523
85.8
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47.5
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-68.7
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48.6
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-71.2
1200
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-166.3
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0.056
50.5
0.427
-75.0
1400
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-173.1
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1600
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-179.0
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0.397
-88.5
2200
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-91.7
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-104.4
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MCH4016 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Low-Noise Amplifier
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MCH4017 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency Low-Noise Amplifier
MCH4017-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-FREQUENCY TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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