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参数资料
| 型号： | MCH6122 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, MCPH6, 6 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | MCH6122 |
MCH6122
No. A1287-2/4
1 : Collector
2 : Collector
3 : Base
4 : Emitter
5 : Collector
6 : Collector
SANYO : MCPH6
2.0
0.
25
1.
6
2.
1
0.
25
0.
85
0.3
0.65
0.15
0 t o 0.02
0.
07
65
4
12
3
65
4
12
3
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB= -30V, IE=0A
-0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB= -4V, IC=0A
-0.1
μA
Collector Cutoff Current
IECO
VEC= -4.5V, IB=0A
-1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE= -2V, IC= -500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE= -10V, IC= -500mA
400
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB= -10V, f=1MHz
25
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC= -1.5A, IB= -30mA
-180
-270
mV
VCE(sat)2
IC= -1.5A, IB= -75mA
-120
-180
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC= -1.5A, IB= -30mA
-0.83
-1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC= -10μA, IE=0A
-30
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC= -1mA, RBE=∞
-30
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE= -10μA, IC=0A
-5
V
Turn-On Time
ton
See specied Test Circuit.
50
ns
Storage Time
tstg
See specied Test Circuit.
270
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
27
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7022A-007
IC -- VCE
IT04554
IC -- VBE
IT04555
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Bass-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
0
--0.6
--0.4
--0.2
--0.8
--1.2
--1.4
--1.6
--2.0
--1.8
--0.2
--1.0
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
--50mA
--30mA
--10mA
--8mA
--6mA
--4mA
--2mA
--20mA
--40mA
IB=0mA
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--3.0
--2.5
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE= --2V
VR
RB
VCC= --12V
VBE=5V
--20IB1=20IB2=IC=--500mA
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
24Ω
100μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
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