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参数资料
| 型号： | MCH6331 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 3.5 A, 30 V, 0.098 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | MCH6331 |
MCH6331
No. A1017-3/4
IT13189
IT13190
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
0.1
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.1
--1.0
23
5
7
--0.01
23
5
7
2
3
5
7
Ta=
--25
°C
VDS= --10V
--0.001
2
3
--0.01
2
7
5
VGS=0V
--0.1
2
--1.0
35
7
2
35
7
VDD= --15V
VGS= --10V
td(on)
td(off)
tf
IT13191
0
--5
--10
--15
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
100
10
--20
--30
--25
Ciss
Coss
Crss
IT13192
10
2
3
7
5
2
3
7
5
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
f=1MHz
t r
0
--4
--8
--12
--16
--2
--6
--10
--14
50
150
100
200
300
250
0
50
100
200
150
250
300
0
IT13187
IT13188
ID= --0.75A
Ta=25
°C
--1.5A
75°
C
25°
C
3
--0.1
2
7
5
3
--1.0
2
7
5
3
--10
7
5
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
VGS
= --4.0
V, ID
= --0.75
A
VGS
= --10.0
V, ID
= --1.5
A
VGS
= --4.5
V, ID
= --0.75
A
01
2
3
45
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
--10
--0.1
--0.01
23
5
3
2
7
23
5 7
23
5 7
--0.01
--0.1
--1.0
--10
IT13194
IT13193
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--8
--7
--9
--10
100
μ
s
10ms
100ms
Operation in this area
is limited by RDS(on).
ID= --3.5A
DC
operation(
Ta=25
°C
)
IDP= --14A
VDS= --10V
ID= --3.5A
1m
s
IS -- VSD
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Drain Current, ID -- A
Diode Forward Voltage, VSD -- V
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
VGS -- Qg
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Drain Current, ID -- A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Ta
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ω
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Ambient Temperature, Ta --
°C
Operation in this area
is limited by RDS(on).
PW
≤10μs
Source
Current,
I
S
--
A
Ta=25
°C
yfs -- ID
Ta=25
°C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (1200mm2
0.8mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6336 | 5 A, 12 V, 0.043 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| MCH6342 | 4.5 A, 30 V, 0.073 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6344 | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6344TL | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCH6336 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6336-P-TL-E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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