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参数资料
| 型号： | MCH6336-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6336
era
0 μ
1m
ms
0m
tio
Ta
=2
° C
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VDS= --6V
ID= --5A
VGS -- Qg
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
IDP= --20A
ID= --5A
ASO
DC
op
Operation in this area
is limited by RDS(on).
10
n(
PW ≤ 10 μ s
10
s
10 s
s
5
)
--1.0
7
--0.5
0
5
3
2
--0.01
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (1200mm 2 ? 0.8mm)
0
1
2
3
4
5
6
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2 3
1.6
1.5
1.4
Total Gate Charge, Qg -- nC IT12995
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 ? 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT12996
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT12997
No. A0958-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6337-TL-H | MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 |
| MCH6341-TL-E | MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6 |
| MCH6341-TL-H | MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6 |
| MCH6344-TL-H | MOSFET P-CH 30V 2A MCPH6 |
| MCH6421-TL-E | MOSFET N-CH 5.5A 20V MCPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6337 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6337_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6337-TL-E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH6337-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH6341 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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