参数资料
型号: MCH6337-TL-H
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 49 毫欧 @ 3A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 670pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 6-MCPH
包装: 带卷 (TR)
MCH6337
--4.5
--4.0
ID -- VDS
--1.8V
--7
--6
ID -- VGS
VDS= --10V
--3.5
--5
--3.0
--2.5
--2.0
--4
--3
--1.5
--1.0
--0.5
0
VGS= --1.5V
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
200
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT12998
Ta=25°C
140
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT12999
180
120
160
= --0.
= --1.
I = --
2.5V, D
= --
--3.0A
V, I D=
= --4.5
140
120
100
80
60
ID= --0.5A
--1.5A
--3.0A
100
80
60
40
VGS
VGS
V GS
8V, I D
5A
1.5A
40
20
20
0
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
2
10
| y fs | -- ID
IT13000
V DS=  --10V
--10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13001
VGS=0V
7
5
3
2
° C
3
2
Ta
=
--2
5 ° C
75
--1.0
7
5
3
1.0
2
° C
7
5
3
2
0.1
25
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13002
VDD= --10V
VGS= --4.5V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13003
f=1MHz
3
2
1000
100
7
5
td(off)
tf
7
5
Ciss
3
3
2
10
7
5
3
tr
td(on)
2
100
7
5
Coss
Crss
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT13004
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13005
No. A0959-3/7
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