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参数资料
| 型号： | MCH6344-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 1A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 172pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6344
--2.0
--1.6
ID -- VDS
--2.0
--1.8
--1.6
ID -- VGS
V DS= --10V
--1.4
--1.2
V GS=
--3.0
V
--1.2
--1.0
--0.8
--0.4
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
600
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT16039
Ta=25 ° C
500
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT16078
500
ID= --0.5A
400
--1.0A
400
300
--0.5
, I D=
4.0V
= --
--0.5A
--4.5V
VGS
10.0V, I D
300
200
100
200
100
VGS
=
V GS= --
, I D=
A
= --1.0A
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate to Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT16079
VDS= --10V
--10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16080
VGS=0V
5
3
2
3
2
--1.0
7
-25
1.0
7
Ta
=-
° C
75 °
C
5
3
2
5
3
25
° C
--0.1
7
5
2
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.01
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
100
7
5
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT16081
VDD= --15V
VGS= --10V
1000
7
5
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT16082
f=1MHz
10
tf
100
7
5
3
td(on)
tr
7
5
3
C os s
Crss
2
2
1.0
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
--10
10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT16083
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT16084
No.8934-3/6
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PDF描述 |
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