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参数资料
| 型号： | MCH6657 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | MCH6657 |
MCH6657
No. A1284-2/4
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
SANYO : MCPH6
2.0
0.
25
1.
6
2.
1
0.
25
0.
85
0.3
0.65
0.15
0 t o 0.02
0.
07
65
4
12
3
65
4
12
3
Continued from preceding page.
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Input Capacitance
Ciss
VDS=--10V, f=1MHz
53
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--10V, f=1MHz
16
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--10V, f=1MHz
10
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
6.6
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
3.4
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
11.5
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
6.2
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--700mA
2.0
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--700mA
0.45
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--700mA
0.22
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=-700mA, VGS=0V
--1.0
--1.5
V
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm (typ)
7022A-006
Switching Time Test Circuit
65
4
13
2
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
Top view
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID= --400mA
RL=37.5Ω
VDD= --15V
VOUT
MCH6657
VIN
0V
--10V
VIN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6657 | 700 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6702 | 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6702 | 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6732 | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6732 | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6660 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6660_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6660-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH6662 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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