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参数资料
| 型号： | MCHC908JK8CPE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/212页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8K FLASH 8MHZ 20-DIP |
| 标准包装： | 18 |
| 系列： | HC08 |
| 核心处理器： | HC08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 连通性： | SCI |
| 外围设备： | LED，LVD，POR，PWM |
| 输入/输出数： | 15 |
| 程序存储器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 13x8b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 725 (CN2011-ZH PDF) |
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ROM-Resident Routines
MC68HC908JL8/JK8 MC68HC08JL8/JK8 MC68HC908KL8 Data Sheet, Rev. 3.1
Freescale Semiconductor
101
programmed in one routine call is 2 bytes, the maximum is 15 bytes. ADDRH:ADDRL must always be the
start of boundary address (the page start address: $XX00, $XX40, $XX80, or $00C0) and DATASIZE
must be the same size when accessing the same page.
In some applications, the user may want to repeatedly store and read a set of data from an area of
non-volatile memory. This is easily possible when using an EEPROM array. As the write and erase
operations can be executed on a byte basis. For FLASH memory, the minimum erase size is the page —
64 bytes per page for MC68HC908JL8. If the data array size is less than the page size, writing and erasing
to the same page cannot fully utilize the page. Unused locations in the page will be wasted. The
EE_WRITE routine is designed to emulate the properties similar to the EEPROM. Allowing a more
efficient use of the FLASH page for data storage.
When the user dedicates a page of FLASH for data storage, and the size of the data array defined, each
call of the EE_WRTIE routine will automatically transfer the data in the data array (in RAM) to the next
blank block of locations in the FLASH page. Once a page is filled up, the EE_WRITE routine automatically
erases the page, and starts to reuse the page again. In the 64-byte page, an 4-byte control block is used
by the routine to monitor the utilization of the page. In effect, only 60 bytes are used for data storage. (see
Figure 7-9). The page control operations are transparent to the user.
Figure 7-9. EE_WRITE FLASH Memory Usage
When using this routine to store a 3-byte data array, the FLASH page can be programmed 20 times before
the an erase is required. In effect, the write/erase endurance is increased by 20 times. When a 15-byte
data array is used, the write/erase endurance is increased by 5 times. Due to the FLASH page size
limitation, the data array is limited from 2 bytes to 15 bytes.
The coding example below uses the $EF00–$EE3F page for data storage. The data array size is 15 bytes,
and the bus speed is 4.9152 MHz. The coding assumes the data block is already loaded in RAM, with the
address pointer, FILE_PTR, pointing to the first byte of the data block.
PAGE BOUNDARY
CONTROL: 8 BYTES
DATA ARRAY
$XX00, $XX40, $XX80, OR $XXC0
PAGE BOUNDARY
ONE PAGE = 64 BYTES
F L ASH
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MCHC908JW32FAE | 功能描述:8位微控制器 -MCU MCHC908JW32FAE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCHC908JW32FC | 功能描述:8位微控制器 -MCU MCHC908JW32FC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MCHC908JW32FCR | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:8-BIT HC08 CISC 32KB FLASH 5V 48-PIN QFN EP T/R - Tape and Reel |
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