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参数资料
| 型号： | MCIMX255AJM4A |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 55/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU IMX25 AUTO 400MAPBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | i.MX25 |
| 核心处理器： | ARM9 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 400MHz |
| 连通性： | 1 线，CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 128 |
| 程序存储器类型： | 外部程序存储器 |
| RAM 容量： | 144K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.15 V ~ 1.52 V |
| 数据转换器： | A/D 3x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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i.MX25 Applications Processor for Automotive Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
21
NOTE
The term ‘OVDD’ in this section refers to the associated supply rail of an
input or output. The association is shown in the “Signal Multiplexing”
chapter of the reference manual.
3.5.1
DDR I/O DC Parameters
The DDR pad type is configured by the IOMUXC_SW_PAD_CTL_GRP_DDRTYPE register (see the
External Signals and Pin Multiplexing chapter of the i.MX25 Reference Manual for details).
3.5.1.1
DDR_TYPE = 00 Standard Setting DDR I/O DC Parameters
Table 17 shows the I/O parameters for mobile DDR. These settings are suitable for mDDR and DDR2
1.8V (
± 5%) applications.
Table 17. Mobile DDR I/O DC Electrical Characteristics
DC Electrical Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
High-level output voltage
Voh
IOH = –1mA
IOH = Specified Drive
OVDD – 0.08
0.8
× OVDD
——
V
Low-level output voltage
Vol
IOL = 1mA
IOL = Specified Drive
——
0.08
0.2
× OVDD
V
High-level output current
I
Ioh
Voh = 0.8
× OVDDV
Standard Drive
High Drive
Max. Drive
–3.6
–7.2
–10.8
——
mA
Low-level output current
I
Iol
Vol = 0.2
× OVDDV
Standard Drive
High Drive
Max. Drive
3.6
7.2
10.8
——
mA
High-level DC CMOS input voltage
VIH
—
0.7
× OVDD
OVDD
OVDD+0.3
V
Low-level DC CMOS input voltage
VIL
—
–0.3
0
0.3
× OVDD
V
Differential receiver VTH+
VTH+
—
100
mV
Differential receiver VTH-
VTH-
–100
—
mV
Input current (no pull-up/down)
IIN
VI = 0
VI = OVDD
——
110
60
nA
High-impedance I/O supply current
Icc-ovdd
VI = OVDD or 0
—
990
nA
High-impedance core supply current
Icc-vddi
VI = VDD or 0
—
1220
nA
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参数描述 |
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| MCIMX255AVM4 | 功能描述:处理器 - 专门应用 SENNA IMX25 1.1 AUTO RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX257CJM4 | 功能描述:处理器 - 专门应用 IMX25 INDUSTRIAL RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX257CJM4A | 功能描述:处理器 - 专门应用 IMX25 1.2 INDUST RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX257CJM4A | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:IC |
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